时间：2025/6/16 16:55:31
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PESD36VS1UL是一种超低电容（典型值为0.4pF）的双向TVS二极管阵列，设计用于保护高速数据接口免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和其他瞬态电压的影响。该器件采用微型DFN1006-2封装，非常适合空间受限的应用场景。
此TVS二极管支持高达±36V的工作电压范围，能够承受IEC61000-4-2标准下±30kV（空气放电）和±30kV（接触放电）的ESD冲击。由于其超低电容特性，PESD36VS1UL不会显著影响信号完整性，特别适合高速差分信号线路，例如USB3.0、HDMI、DisplayPort等。
工作电压：±36V
峰值脉冲电流：±8A
最大箝位电压：52.4V
响应时间：≤1ps
结电容：0.4pF（典型值）
额定功率：400W
封装形式：DFN1006-2
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 双向保护结构，提供对称的正负电压保护。
2. 超低结电容（仅0.4pF），确保对高速数据线的最小信号干扰。
3. 快速响应时间（≤1ps），能有效抑制瞬态电压尖峰。
4. 高级别的ESD防护能力，符合并超过IEC61000-4-2国际标准要求。
5. 小型化设计（DFN1006-2封装），适合紧凑型电路板布局。
6. 宽工作温度范围（-55℃至+150℃），适用于各种严苛环境。
1. USB3.0/3.1、HDMI、DisplayPort等高速数据接口保护。
2. 移动设备（智能手机、平板电脑）中的射频线路保护。
3. 工业自动化设备中的通信端口防护。
4. 汽车电子系统中的高速信号链路保护。
5. 网络设备（路由器、交换机）的数据接口ESD防护。
6. 医疗设备中的敏感信号线路保护。
PESD36VN1UL, PESD36VS2BL
