类型：射频变容二极管
　　封装：SOD-123
　　最大反向电压（VR）：35V
　　结电容（Cj）@ VR=0V：约12.5pF
　　电容比（Cj(0V)/Cj(25V)）：约4.5:1
　　Q值（品质因数）@ 50MHz：≥300
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　最大功耗：300mW

SMV1104-35 是一款高性能的射频变容二极管，具有宽广的调谐范围和优异的线性特性，适用于需要精细频率调谐的射频系统。其核心特性之一是其电容随施加的反向偏置电压而变化，这种变化在0V至35V范围内呈现出良好的线性关系，使得该器件在压控振荡器（VCO）和频率调谐电路中表现出色。
　　此外，该器件具有高Q值（品质因数），在高频应用中可显著降低插入损耗，提高电路效率。其SOD-123小型封装形式便于在高密度PCB设计中使用，并且具备良好的热稳定性和机械强度。
　　SMV1104-35 的电容在0V偏置下约为12.5pF，随着偏置电压升高至25V时，电容可降至约2.8pF，提供较大的调谐范围。这种电容变化能力使其成为调频（FM）收发器、锁相环（PLL）系统、频率合成器以及射频滤波器调谐电路中的理想选择。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，确保其在极端环境下的稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。

SMV1104-35 主要应用于需要电压控制电容的射频电路中。常见的应用包括压控振荡器（VCO）、锁相环（PLL）、频率合成器、调频收发器、射频滤波器调谐电路、无线通信模块、卫星通信设备以及汽车无线电系统。
　　在压控振荡器中，该器件用于实现频率的精确控制，通过调节施加在变容二极管上的电压来改变振荡频率，从而实现频率合成和调制功能。在锁相环系统中，它有助于实现稳定的频率跟踪和调整。此外，在调频收发器中，该器件可用于实现频率调制和解调功能，提高信号传输的稳定性和质量。
　　由于其高Q值和优良的线性特性，该器件在低噪声和高频率稳定性的要求下表现尤为出色，适用于高端通信设备和精密射频测量仪器。

BB130, SMV1103-30, MVAM109, BB910