时间：2025/6/29 3:14:09
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SMUN5211T1G 是一款基于硅材料制造的 N 沟道增强型 MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），适用于多种开关和功率管理应用。该器件具有较低的导通电阻和快速开关特性，适合高效率、高频工作的电路设计。
该 MOSFET 的封装形式为 TO-263 (DPAK)，能够提供良好的散热性能，同时其电气参数非常适合用于消费电子、工业控制以及汽车电子领域。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：48A
导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ
栅极电荷：36nC
工作温度范围：-55℃ to +175℃
功耗：234W
SMUN5211T1G 具有低导通电阻特性，可显著降低传导损耗，提高系统效率。此外，其出色的热稳定性使其能够在较宽的工作温度范围内保持高性能。
该器件支持快速开关操作，有助于减少开关损耗，并且在高频应用中表现出色。同时，其大电流承载能力确保了在负载波动较大时依然稳定运行。
由于采用了先进的工艺技术，SMUN5211T1G 还具备较高的雪崩击穿能力和鲁棒性，从而增强了整体系统的可靠性。
SMUN5211T1G 广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、开关电源（SMPS）、逆变器以及其他需要高效功率切换的应用场景中。
它也常被用作负载开关或保护电路中的关键元件，在汽车电子设备如电动车窗、座椅调节等场合也有广泛应用。
IRFZ44N
STP55NF06
FDP55N06L
