时间：2025/8/21 21:52:19
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SI8235AB-C-IS 是 Silicon Labs（芯科科技）推出的一款高性能、双通道隔离式栅极驱动器芯片，专为驱动功率MOSFET和IGBT等功率器件而设计。该芯片采用Silicon Labs独有的数字隔离技术，提供高隔离电压等级和优异的抗干扰能力，适用于工业自动化、电机控制、电源转换和新能源系统等对可靠性和安全性要求较高的应用场合。SI8235AB-C-IS 采用8引脚SOIC封装，具有较小的封装体积和良好的热性能。
工作电压：2.5V 至 5.5V
输出驱动电流：0.5A（拉电流） / 0.5A（灌电流）
隔离电压：3.75kVRMS
传播延迟：最大200ns
脉宽失真：最大20ns
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装类型：8-SOIC
SI8235AB-C-IS 的核心优势在于其基于CMOS工艺的数字隔离技术，能够在输入与输出之间提供高达3.75kVRMS的电气隔离，显著提升系统的安全性和抗干扰能力。
该芯片具有双通道配置，每个通道均可独立控制，适用于半桥或全桥拓扑中的功率器件驱动。
其输入端兼容3.3V和5V逻辑电平，便于与各类控制器（如MCU、DSP、FPGA）连接。
内置的欠压锁定（UVLO）功能可确保在电源电压不足时自动关闭输出，防止功率器件误操作。
此外，SI8235AB-C-IS 具有出色的抗电磁干扰（EMI）性能，并符合UL、CSA、IEC等国际安全标准认证，适用于高可靠性工业级应用。
SI8235AB-C-IS 主要应用于各类电力电子系统中，包括但不限于：
工业电机驱动器、伺服控制系统、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、开关电源（SMPS）、电池管理系统（BMS）、智能电网设备以及家电变频控制模块。
由于其具备高隔离能力和紧凑封装，特别适用于空间受限且需要电气隔离的PCB设计，例如在高侧和低侧同时需要隔离驱动的场合。
在电机控制应用中，该芯片可用于驱动MOSFET或IGBT半桥结构，实现高效的功率转换与控制。
在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，SI8235AB-C-IS 也能提供稳定可靠的栅极驱动解决方案。
ADuM4223-1BRIZ, UCC21520DBQ, NCD57001DR2G
