SMTPB68是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的功率MOSFET晶体管,属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各类高效能电子系统中。其设计注重低导通电阻(RDS(on))和高开关速度,以提高系统效率并降低功耗。
类型:N沟道
最大漏极电流(ID):80A
最大漏源电压(VDS):60V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):2.8mΩ @ VGS=10V
功率耗散(PD):160W
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
SMTPB68的主要特性包括低导通电阻,能够显著降低导通损耗,提高电源转换效率;具备高电流承载能力,可在高负载条件下稳定运行;采用先进的封装技术,具有良好的热管理和散热性能;同时具备快速开关特性,适用于高频开关应用,减少开关损耗。
此外,该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持常见的10V至15V驱动电压,兼容多种驱动电路设计。其封装形式通常为PowerFLAT或TO-220,适合表面贴装或通孔安装,适应不同电路板布局需求。可靠性方面,该器件具备较高的耐用性和长期稳定性,适用于工业级和汽车电子应用。
SMTPB68常用于各类电力电子设备中,例如直流-直流转换器(DC-DC Converter)、同步整流器、电池管理系统(BMS)、电机驱动器、电源开关控制、负载开关以及高性能电源模块等。其高效率和高可靠性的特性使其成为工业自动化、新能源汽车、通信设备和消费类电子产品中的理想选择。
STP80NF60, IRF1404, FDP80N60A, FQP80N60