SMS24T1G是一种基于肖特基势垒技术的双通道瞬态电压抑制器(TVS),主要用于保护电子设备免受静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)和其他瞬态过电压事件的损害。该器件具有极低的电容特性,非常适合高速数据线路和高频信号路径的保护需求。SMS24T1G采用紧凑型封装设计,便于在空间受限的应用中使用。
工作电压:±6V
峰值脉冲电流:±3.8A
响应时间:≤1ns
结电容:0.9pF
漏电流:最大1μA(在工作电压下)
封装类型:SOT-23-2
工作温度范围:-55℃至+150℃
SMS24T1G具有以下显著特性:
1. 极低的结电容(0.9pF),适合高速数据线保护。
2. 快速响应时间(≤1ns),能够有效抑制瞬态过电压。
3. 高度可靠的ESD保护能力,符合IEC 61000-4-2国际标准,可承受±15kV接触放电和±30kV空气放电。
4. 小型化SOT-23-2封装,节省PCB布局空间。
5. 工作温度范围宽广,适用于各种恶劣环境条件下的应用。
SMS24T1G广泛应用于需要高性能ESD保护的领域,包括但不限于:
1. USB接口保护。
2. HDMI、DisplayPort等高速视频/音频接口保护。
3. 移动通信设备中的天线端口保护。
4. 工业控制系统的信号线保护。
5. 汽车电子系统中的传感器和数据总线保护。
PESD2V8T4BS, SMAJ6.0A