时间：2025/7/14 15:58:37
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SMS200S3120G 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件专为高效率、高频率的电源管理和功率转换应用设计。其封装形式为TO-247，适用于需要高电流和高电压能力的工业级应用。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：1200V
最大漏极电流(Id)：200A（在Tc=25℃时）
导通电阻(Rds(on))：典型值18mΩ
栅极阈值电压(Vgs(th))：范围通常在4.5V至6.5V
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装类型：TO-247
SMS200S3120G具备多项优异的电气性能和可靠性特征：
首先，它的低导通电阻（Rds(on)）可以有效降低导通损耗，从而提高系统效率并减少散热需求。
其次，该器件具有较高的击穿电压能力，能够承受极端条件下的电压波动，确保电路稳定运行。
此外，其栅极驱动要求较低，与标准的10V或12V驱动电路兼容，简化了控制电路的设计。
该MOSFET还具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能维持性能，适合用于严苛的工作环境。
最后，其TO-247封装提供良好的散热性能和机械强度，便于安装和维护。
SMS200S3120G广泛应用于各种高功率电子设备中，包括但不限于以下领域：
工业电源系统，如UPS（不间断电源）、变频器和电机控制器；
新能源领域，例如太阳能逆变器和风力发电系统的功率转换模块；
电动汽车充电设备和车载电力系统；
开关电源（SMPS）以及高频DC/DC转换器等场景。
由于其大电流和高耐压特性，非常适合对可靠性和效率有较高要求的应用场合。
SGH20N120HD, IXFN200N120, FGL200N120DND
