类型：射频开关
　　开关类型：SPDT（单刀双掷）
　　频率范围：2 GHz - 6 GHz
　　插入损耗：典型值0.4 dB（最大0.6 dB）
　　隔离度：典型值30 dB（最小25 dB）
　　输入IP3：+70 dBm
　　电源电压：2.5V - 5.5V
　　控制电压：1.8V - 5.5V
　　封装类型：QFN（4x4 mm）
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

SMM766BFT-1107L在射频开关领域表现出色，主要得益于其低插入损耗和高隔离度特性，这使得信号在传输过程中损耗极小，同时确保了不同信号路径之间的良好隔离。此外，该器件的输入IP3（三阶交调截距点）高达+70 dBm，表明其在处理高功率信号时具有出色的线性度，从而降低了信号失真的可能性。
　　该芯片支持2 GHz至6 GHz的宽频率范围，使其适用于多种无线通信标准，如Wi-Fi 6E、5G NR和LTE。电源电压范围为2.5V至5.5V，控制电压兼容1.8V至5.5V，因此可以与多种控制器和逻辑电平直接接口，而无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂性。
　　该QFN封装（4x4 mm）不仅提供了紧凑的设计，还具备良好的热管理能力，确保在高功率操作下的稳定性。其-40°C至+85°C的工作温度范围也使其适用于各种严苛环境条件下的应用，如工业设备和户外通信设备。

SMM766BFT-1107L广泛应用于高性能无线通信系统，包括Wi-Fi接入点、5G基站、LTE用户终端设备、物联网（IoT）模块以及测试测量设备。由于其高线性度和宽频率范围，该芯片也适用于多频段天线切换、射频前端模块（FEM）和射频收发系统中的信号路由控制。

SMM766BFT-1107, PE42642-11, HMC649ALC4B, ADG904BRUZ