时间：2025/11/8 9:01:04
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SMLE13BC8TT86是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的表面贴装肖特基势垒二极管，属于PowerFLAT 1.3x1.3封装系列。该器件专为高效率、低电压应用设计，广泛应用于便携式电子设备和电源管理电路中。其主要功能是实现快速开关和低正向电压降，从而减少功率损耗并提高系统整体能效。该二极管采用先进的硅工艺制造，具有良好的热稳定性和可靠性，适用于紧凑型电子产品中的空间受限设计。
该型号命名遵循ST的标准化命名规则：'S'代表半导体器件，'ML'表示微型扁平封装，'E13'指代PowerFLAT 1.3x1.3封装尺寸，'B'表示单个二极管结构，'C8'可能与内部芯片版本或额定参数相关，'T'代表卷带包装，'T86'通常表示产品符合RoHS标准且为无铅器件。因此，SMLE13BC8TT86是一款环保型、适合自动化贴片生产的元器件，常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类DC-DC转换器中作为整流或防反接保护元件。
类型：肖特基势垒二极管
极性：单路
最大重复反向电压（VRRM）：20V
最大直流反向电压（VR）：20V
最大正向平均电流（IF(AV)）：1A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：15A
最大正向电压降（VF）：450mV @ 1A
最大反向漏电流（IR）：100μA @ 20V
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
封装形式：PowerFLAT 1.3x1.3
SMLE13BC8TT86的核心优势在于其超低正向导通压降和快速开关响应能力，这使其在电池供电设备中表现出色。在1A的工作电流下，其正向电压仅为450mV左右，显著低于传统PN结二极管（通常为700mV以上），从而大幅降低导通损耗，提升电源转换效率。这一特性对于现代高效同步整流拓扑尤其重要，能够有效减少发热，延长电池续航时间。
该器件采用PowerFLAT 1.3x1.3小型化封装，底面带有裸露焊盘，有助于改善热传导性能，使热量更有效地从芯片传递到PCB，增强了在高密度布局下的散热能力。尽管体积微小，但其可承受高达15A的非重复浪涌电流，具备一定的过载耐受能力，适合应对启动瞬间或负载突变带来的电流冲击。
此外，SMLE13BC8TT86具有较低的反向恢复时间（trr < 5ns），几乎不存在反向恢复电荷（Qrr），因此在高频开关应用中不会产生明显的开关损耗或电磁干扰问题，非常适合用于高频DC-DC变换器、低压差线性稳压器旁路、电源路径管理及反极性保护等场景。
该器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，具备优良的湿度敏感等级（MSL3），可在回流焊过程中保持稳定性，并支持无铅焊接工艺。同时，其高结温能力（+150°C）确保了在高温环境下仍能可靠运行，满足工业与消费类应用的严苛要求。
SMLE13BC8TT86广泛应用于需要高效率和小尺寸封装的便携式电子设备中。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、智能手表和其他可穿戴设备中的电源管理系统，用于电池充放电路径的隔离与保护。在这些设备中，它常被配置为防止电池反向接入或外部电源与电池之间的环流控制。
在DC-DC转换电路中，特别是升压（Boost）和降压（Buck）拓扑结构中，该二极管作为续流二极管使用，利用其低VF特性减少能量损耗，提高整体转换效率。由于其快速响应特性，也能有效抑制电压尖峰，保护后续电路。
此外，该器件还适用于USB供电电路、移动电源（充电宝）、物联网终端节点以及各种嵌入式控制系统中的电源整流与防倒灌设计。在汽车电子领域，如车载信息娱乐系统、传感器模块和LED照明驱动中，也可见其身影，得益于其稳定的性能和车规级认证。
由于其小型化封装和高功率密度特点，SMLE13BC8TT86特别适合用于空间受限的高集成度PCB设计，支持自动化高速贴片生产，提升了制造效率与产品一致性。
SML13T130B
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