时间：2025/12/25 14:02:48
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SML522BUWT86是一款由ROHM Semiconductor生产的表面贴装小信号肖特基二极管，采用UMD3（SOD-123FL）超小型封装。该器件专为高频开关应用设计，具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特点，适用于现代电子设备中的整流、箝位和保护电路。SML522BUWT86的结构基于铂势垒技术，使其在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。该器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，适合用于对可靠性和稳定性要求较高的工业与汽车电子系统中。其紧凑的封装形式有助于节省PCB空间，特别适用于高密度布局的便携式电子产品和电源管理模块。此外，该产品符合RoHS环保规范，不含铅和有害物质，支持无铅焊接工艺，在回流焊过程中表现出良好的热稳定性和机械强度。SML522BUWT86广泛应用于DC-DC转换器、电源整流、信号解调、ESD保护以及各类模拟开关电路中，是替代传统硅二极管的理想选择，尤其在需要高效能与低功耗的设计场景下表现优异。
该器件在制造过程中采用了先进的芯片粘接和引线键合工艺，确保了长期工作的可靠性和一致性。由于其优异的开关特性，SML522BUWT86能够在高频条件下实现最小的能量损耗，从而提升整体系统的效率。同时，其较低的漏电流特性也有助于降低待机功耗，满足绿色能源设计的需求。
型号: SML522BUWT86
制造商: ROHM Semiconductor
封装/外壳: UMD3 (SOD-123FL)
二极管类型: 单个肖特基二极管
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
最大平均整流电流: 200mA
最大峰值重复反向电压: 20V
最大正向压降: 440mV @ 100mA
最大反向漏电流: 1μA @ 20V
反向恢复时间: 1ns
是否符合RoHS: 是
是否车规级: 符合 AEC-Q101
SML522BUWT86具备出色的电学性能和环境适应能力，其核心优势之一在于极低的正向导通压降，典型值仅为440mV（在100mA条件下），这显著降低了功率损耗并提高了能效，特别适用于电池供电或低电压运行的便携式设备。该器件的反向恢复时间极短，仅为1纳秒，意味着它可以在高频开关环境中迅速完成从导通到截止的状态切换，有效减少开关过程中的能量损失和电磁干扰，提升系统响应速度与稳定性。这一特性使其非常适合用于高速数字电路中的信号整形、脉冲检测及高频整流应用。
该肖特基二极管采用铂势垒结构而非传统的铝-硅接触，提升了热稳定性和长期可靠性，即使在高温工作条件下也能维持较低的漏电流水平。在20V反向电压下，最大漏电流仅为1μA，表明其具有良好的阻断能力和抗噪声干扰性能，可在严苛环境中稳定工作。此外，器件的工作结温可达150°C，适用于包括车载电子在内的高温应用场景。其UMD3封装具有极小的尺寸（约1.7mm × 1.25mm × 0.95mm），便于实现高密度PCB布局，并支持自动化贴片生产，提高组装效率。
SML522BUWT86还通过了AEC-Q101认证，证明其在温度循环、湿度偏压、高温反偏等严酷测试条件下均能满足汽车电子的可靠性要求，因此可广泛用于车身控制模块、传感器接口、LED驱动电源等车载子系统中。该器件的无铅设计和符合RoHS指令的特点也使其适用于全球市场的消费类电子产品出口需求。综合来看，SML522BUWT86以其高性能、小尺寸和高可靠性，成为现代电子设计中理想的高频整流与保护元件选择。
SML522BUWT86主要应用于需要高效能、小尺寸和高可靠性的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理电路，用于DC-DC转换器的同步整流或续流二极管，以提升转换效率并延长电池续航时间。在通信设备中，该器件可用于高频信号检波、射频前端保护和瞬态电压抑制，防止静电放电（ESD）或浪涌电压对敏感IC造成损坏。此外，它也被广泛用于各类工业控制系统，例如PLC模块、传感器信号调理电路和隔离电源的反馈路径中，作为箝位二极管或反极性保护元件。
在汽车电子领域，SML522BUWT86凭借其AEC-Q101车规认证，被用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器电源、车内照明驱动以及电池管理系统（BMS）中的电压监测单元。其快速响应特性能够有效应对车辆启动时的电压突变或负载切换引起的瞬态过压，保障关键电路的安全运行。同时，由于其低漏电流和高温度耐受性，该器件也适用于高温环境下的发动机舱内电子模块。另外，在物联网（IoT）节点设备、无线传感器网络和智能家居控制器中，SML522BUWT86常用于电源轨保护和信号路径隔离，帮助实现低功耗待机模式下的系统稳定性。总之，凡是需要快速开关、低功耗和高集成度的应用场景，都是SML522BUWT86的理想用武之地。
RB751S-40,RB751V-40,PMGJ302UD,MBR0140
