SMJ44C251B-12JDM 时间：2025/7/18 12:16:12 阅读：16

SMJ44C251B-12JDM 是一款由 Harris Semiconductor（现为 Intersil）生产的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件采用高速 CMOS 技术制造，具有低功耗和高可靠性，适用于需要快速数据访问的军事和工业应用。该芯片采用 32 引脚陶瓷双列直插式封装（CerDIP），符合 MIL-STD-883 标准，适用于在严苛环境中运行的系统。

参数

类型：SRAM
　　容量：4K x 4 位（16Kbit）
　　存取时间：12ns
　　电源电压：4.5V 至 5.5V
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装类型：32 引脚陶瓷 DIP
　　接口类型：并行
　　功耗（典型值）：120mA（工作时）
　　待机电流：10mA
　　封装代码：JDM
　　工艺技术：CMOS
　　数据总线宽度：4 位

特性

SMJ44C251B-12JDM 是一款专为高可靠性应用设计的 SRAM 芯片，其核心特性包括高速存取时间（12ns），支持快速数据读写操作。该器件采用 CMOS 技术，具有低静态功耗和较低的待机电流，在不活跃状态下仍能保持低功耗运行，适用于需要节能设计的系统。其电源电压范围为 4.5V 至 5.5V，使其兼容多种电源管理方案。
　　该芯片的工作温度范围为 -55°C 至 +125°C，符合军事级温度标准，适用于极端环境下的工业、航空航天和国防应用。其 32 引脚陶瓷 DIP（JDM 封装）不仅具备良好的散热性能，还具有优异的抗环境干扰能力，确保长期运行的稳定性。
　　该 SRAM 支持异步操作，无需时钟信号控制，适用于多种存储器接口设计。此外，该器件符合 MIL-STD-883 标准，确保在高振动、高湿度或其他恶劣条件下的可靠运行，是高可靠性系统中的理想选择。

应用

SMJ44C251B-12JDM 广泛应用于对可靠性和性能要求极高的军事和工业设备中。典型应用包括雷达系统、通信设备、飞行控制系统、导弹导航模块、测试测量仪器以及需要高速临时数据存储的嵌入式系统。由于其宽温工作范围和抗环境干扰能力，该芯片也常用于航天器和卫星电子系统中，作为高速缓存或临时数据存储单元。此外，在工业自动化和高端测量设备中，该 SRAM 可用于实现快速数据缓冲和临时存储功能。