SMJ44C251B-12JDM 是一款由 Harris Semiconductor(现为 Intersil)生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件采用高速 CMOS 技术制造,具有低功耗和高可靠性,适用于需要快速数据访问的军事和工业应用。该芯片采用 32 引脚陶瓷双列直插式封装(CerDIP),符合 MIL-STD-883 标准,适用于在严苛环境中运行的系统。
类型:SRAM
容量:4K x 4 位(16Kbit)
存取时间:12ns
电源电压:4.5V 至 5.5V
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
封装类型:32 引脚陶瓷 DIP
接口类型:并行
功耗(典型值):120mA(工作时)
待机电流:10mA
封装代码:JDM
工艺技术:CMOS
数据总线宽度:4 位
SMJ44C251B-12JDM 是一款专为高可靠性应用设计的 SRAM 芯片,其核心特性包括高速存取时间(12ns),支持快速数据读写操作。该器件采用 CMOS 技术,具有低静态功耗和较低的待机电流,在不活跃状态下仍能保持低功耗运行,适用于需要节能设计的系统。其电源电压范围为 4.5V 至 5.5V,使其兼容多种电源管理方案。
该芯片的工作温度范围为 -55°C 至 +125°C,符合军事级温度标准,适用于极端环境下的工业、航空航天和国防应用。其 32 引脚陶瓷 DIP(JDM 封装)不仅具备良好的散热性能,还具有优异的抗环境干扰能力,确保长期运行的稳定性。
该 SRAM 支持异步操作,无需时钟信号控制,适用于多种存储器接口设计。此外,该器件符合 MIL-STD-883 标准,确保在高振动、高湿度或其他恶劣条件下的可靠运行,是高可靠性系统中的理想选择。
SMJ44C251B-12JDM 广泛应用于对可靠性和性能要求极高的军事和工业设备中。典型应用包括雷达系统、通信设备、飞行控制系统、导弹导航模块、测试测量仪器以及需要高速临时数据存储的嵌入式系统。由于其宽温工作范围和抗环境干扰能力,该芯片也常用于航天器和卫星电子系统中,作为高速缓存或临时数据存储单元。此外,在工业自动化和高端测量设备中,该 SRAM 可用于实现快速数据缓冲和临时存储功能。
IDT7130SA12J、CY7C130-12JC、HM62256BLFP-10、AS7C34098A-12JC、IS61C256AH-12T