SMI4024ACQ-TR 时间：2025/8/4 23:52:07 阅读：27

SMI4024ACQ-TR是一款由System Logic Semiconductor制造的双路N沟道功率MOSFET，采用先进的Trench沟槽技术制造，具有低导通电阻和高功率密度的特点。该器件采用8引脚DFN封装，适用于多种高效率电源管理应用。SMI4024ACQ-TR广泛应用于负载开关、电源管理模块、电池管理系统以及DC-DC转换器等电路设计中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　配置：双路
　　漏源电压（VDS）：30V
　　连续漏极电流（ID）：10A（每个通道）
　　导通电阻（RDS(on)）：24mΩ（典型值，VGS=10V）
　　栅极电压（VGS）：-20V ~ +20V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：8-DFN（5mm x 6mm）
　　功率耗散（PD）：3.2W（最大值，Tamb=25°C）
　　热阻（RθJA）：40°C/W（典型值）

特性

SMI4024ACQ-TR采用了先进的Trench沟槽技术，使得其导通电阻非常低，从而减少了导通损耗并提高了效率。该器件的双路配置允许在一个封装内集成两个独立的MOSFET，有助于节省PCB空间和简化设计。由于其低导通电阻（RDS(on)）和高电流能力，该器件非常适合用于高效率的电源转换应用。此外，SMI4024ACQ-TR具有良好的热性能，能够在较高的环境温度下稳定工作。该MOSFET的栅极氧化层设计具有高耐用性，确保了器件在长期使用中的可靠性和稳定性。其封装设计符合RoHS标准，适用于无铅焊接工艺。