产品类型：双N沟道MOSFET
　　封装/外壳：SiMPak (双片式无引脚封装)
　　漏源电压（VDS）：20 V
　　连续漏极电流（ID）：9.6 A（单通道）
　　脉冲漏极电流（IDM）：38 A
　　导通电阻RDS(on)：10.8 mΩ（@ VGS = 4.5 V）
　　导通电阻RDS(on)：13 mΩ（@ VGS = 2.5 V）
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：0.6 V ~ 1.0 V
　　栅极电荷（Qg）：5.8 nC（@ VGS = 4.5 V）
　　输入电容（Ciss）：370 pF（@ VDS = 10 V）
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　安装方式：表面贴装
　　通道数：2
　　技术：TrenchFET?

SMG210U0AX3DV采用Vishay先进的TrenchFET?沟槽技术，实现了极低的导通电阻与栅极电荷的优化组合，显著提升了功率转换效率。其10.8 mΩ的低RDS(on)在20V N沟道MOSFET中处于领先水平，尤其适合用于电池供电设备或低压大电流应用中，有效降低传导损耗，减少发热。该器件在VGS = 2.5V时仍能保持13 mΩ的低导通电阻，表明其具备良好的低电压驱动能力，可兼容3.3V或更低逻辑电平的控制器，适用于现代低电压数字系统。
　　该MOSFET的双通道设计使其非常适合用于半桥或同步整流拓扑结构中，两通道间具有良好的匹配性，有助于减少电流不平衡问题，提升系统稳定性。SiMPak封装去除了传统引线框架，采用铜夹片连接源极，大幅降低了封装寄生电阻和电感，从而改善了高频开关性能并增强了散热能力。这种封装还支持双面冷却，在高功率密度设计中可有效提升热管理效率。
　　器件的栅极电荷仅为5.8 nC，意味着驱动电路所需提供的能量较少，有利于降低驱动IC的功耗并简化驱动设计。同时，较低的输入电容（370 pF）减少了开关过程中的充放电时间，使器件能够工作在更高频率下，适用于MHz级开关电源设计。此外，其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）确保了在极端环境下的可靠运行，适用于工业控制、便携式设备及汽车电子等多种严苛应用场景。
　　SMG210U0AX3DV还具备优良的抗雪崩能力和坚固的栅氧化层设计，提高了器件在瞬态过压或短路情况下的鲁棒性。其无铅、无卤素的环保特性符合国际绿色电子产品的规范要求，适合用于消费类电子、通信设备和物联网终端等对环保指标敏感的产品中。综合来看，该器件在性能、尺寸、效率和可靠性方面达到了良好平衡，是高性能小型化电源设计的理想选择。

SMG210U0AX3DV广泛应用于需要高效率和小尺寸封装的电源管理系统中。典型应用包括同步降压转换器，特别是在多相VRM（电压调节模块）中作为上下管使用，能够有效降低导通损耗并提升转换效率。在便携式电子设备如智能手机、平板电脑和超极本中，该器件可用于电池电源路径管理和负载开关控制，实现快速响应和低静态功耗。
　　在DC-DC电源模块中，SMG210U0AX3DV适用于隔离与非隔离拓扑结构中的同步整流环节，尤其是在低输出电压（如1.0V、1.8V）的大电流供电系统中表现出色。此外，它也可用于电机驱动电路中的H桥配置，控制小型直流电机或步进电机的正反转和调速，得益于其低导通电阻和快速开关特性，能有效减少能耗并提升响应速度。
　　在服务器和通信设备的板级电源设计中，该器件常用于POL（Point-of-Load）转换器，为FPGA、ASIC和微处理器提供稳定的供电。其高电流处理能力和良好的热性能使其能够在紧凑布局下长时间稳定运行。同时，该MOSFET也适用于热插拔控制器、LED驱动电路以及各类电源管理单元（PMU）中，作为主开关或背靠背配置的通断元件。
　　由于其符合AEC-Q101可靠性标准（部分版本），该器件还可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器电源和车身控制模块等汽车电子应用中。总之，凡是对空间、效率和开关速度有较高要求的低压大电流场合，SMG210U0AX3DV均能发挥其优势。

SGM210U0X3D-VB