时间：2025/7/3 20:20:23
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SMFP02WV7.5B 是一款高性能的功率 MOSFET，采用 TO-263 封装。该器件适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等应用。它具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高效率并减少热损耗。
SMFP02WV7.5B 的设计重点在于优化漏源电压 (Vds) 和导通电阻 (Rds(on)) 的平衡，使其在高功率密度应用中表现优异。
型号：SMFP02WV7.5B
封装：TO-263
最大漏源电压 (Vds)：75V
连续漏极电流 (Id)：18A
导通电阻 (Rds(on))：4.5mΩ（典型值）
栅极阈值电压 (Vgs(th))：2.5V~4.5V
工作结温范围：-55℃~175℃
功耗：205W
SMFP02WV7.5B 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可以显著降低传导损耗，适合大电流应用。
2. 快速开关速度和低栅极电荷 (Qg)，可有效减少开关损耗。
3. 高雪崩击穿能力，增强可靠性，可在异常条件下提供保护。
4. 采用无铅 (Pb-free) 封装，符合 RoHS 标准。
5. 热性能优越，能够承受更高的工作温度范围。
6. 适合表面贴装技术 (SMT)，便于自动化生产。
这些特性使得 SMFP02WV7.5B 成为工业和消费类电子产品的理想选择。
该功率 MOSFET 广泛应用于多种领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 负载开关和电池保护电路。
4. LED 驱动器中的高效功率管理。
5. 工业设备中的逆变器和转换器模块。
6. 消费类电子产品中的充电器和适配器。
SMFP02WV7.5B 凭借其出色的电气特性和热性能，在上述应用中表现出色。
SMFP02WV8B, IRFZ44N, FDP150AN
