MMPQ3906R2是一款小型化、高性能的P沟道MOSFET,采用DFN8封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种功率转换和负载切换应用。MMPQ3906R2能够在较低的电压下实现高效的开关操作,同时保持良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:10A
导通电阻(典型值):2.5mΩ
栅极电荷:17nC
开关时间(开启/关闭):15ns/20ns
工作结温范围:-55℃至150℃
MMPQ3906R2具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高系统效率。
2. 快速的开关性能,适合高频开关应用。
3. 小型化的DFN8封装,节省PCB空间,便于设计紧凑型电路。
4. 高电流处理能力,满足大功率应用场景的需求。
5. 优秀的热性能和稳定性,能够在宽温度范围内可靠工作。
6. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子设备需求。
MMPQ3906R2广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC转换器的高端或低端开关。
3. 负载切换和保护电路。
4. 电池管理系统的充放电控制。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子中的电机驱动和电源管理电路。
MMPQ3906R1,
MMPQ3906R3,
IRF7738,
Si7850DP