时间：2025/6/5 12:02:20
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SMFP02WV36R 是一款基于 MOSFET 技术的功率场效应晶体管，主要用于开关和功率管理应用。该器件采用 TO-252 封装形式，具备低导通电阻、高效率以及出色的热性能，适用于各种需要高效功率转换的场合。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。其设计注重在高频开关条件下提供较低的损耗，并且具有良好的抗 ESD（静电放电）能力。
最大漏源电压：36V
连续漏极电流：24A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：45nC
最大功耗：70W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SMFP02WV36R 的主要特点是其超低的导通电阻 (Rds(on))，这使得它非常适合用于大电流应用场景。此外，该器件还具有快速开关能力，能够有效降低开关损耗。其封装形式 TO-252 提供了良好的散热路径，从而提高了系统的可靠性。
这款 MOSFET 的栅极阈值电压经过优化，可与标准逻辑电平兼容，便于驱动。同时，它还具备较高的雪崩击穿能量吸收能力，能够在异常条件下保护电路免受损坏。
由于采用了先进的制造工艺，SMFP02WV36R 在高温下的稳定性表现优异，适合长期运行在恶劣环境中的应用。
SMFP02WV36R 适用于多种电力电子应用，包括但不限于：
- 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器
- 电机驱动器中的功率级
- 负载切换和保护电路
- DC-DC 转换器中的主开关或续流二极管替代方案
- 电池管理系统中的负载控制
- 各类工业自动化设备中的功率开关组件
SMFP02WV40R
IRFZ44N
STP24NF06L
