时间：2025/12/24 10:09:18
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SMFP02WV28B 是一款基于硅基技术制造的高性能功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用 TO-252 封装，具有低导通电阻和高效率的特点，能够有效降低能量损耗并提升系统性能。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，其设计优化了栅极驱动特性以及动态性能，使其非常适合高频开关应用。此外，它还具备出色的热稳定性和可靠性，适用于各种工业及消费类电子设备。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：43A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：16nC
总电容：300pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-252
功耗：250W
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），确保在高电流应用中减少功率损耗。
2. 高频开关能力，适合于现代高效能电源转换器。
3. 增强的热性能，通过改进封装设计提高散热效果。
4. 出色的雪崩击穿能力和抗静电能力，增强了器件的可靠性和鲁棒性。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 良好的栅极驱动兼容性，便于与多种控制电路集成。
7. 提供长期稳定性，在极端温度条件下仍能保持性能一致性。
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中的功率级开关。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 照明镇流器和 LED 驱动器。
5. 各种负载切换和保护电路。
6. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关。
7. 工业自动化设备中的功率调节模块。
IRFZ44N
STP36NF06L
FDP550
IXTH40N06L
