时间：2025/8/28 3:33:41
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PQ1CZ41H2ZPK 是一款由罗姆半导体（Rohm Semiconductor）推出的 N 沟道功率 MOSFET，广泛用于需要高效能和低导通电阻的应用场合。该器件采用高性能硅技术制造，具有优异的热稳定性和耐用性，适用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器等领域。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：41A
导通电阻（Rds(on)）：约 2.9mΩ（典型值）
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
PQ1CZ41H2ZPK 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高电流容量（41A）使其能够处理大功率负载，适用于高要求的工业和汽车应用。其 40V 的漏源电压额定值允许在中等电压范围内工作，确保在多种电路配置中具有良好的稳定性。此外，PQ1CZ41H2ZPK 具有高耐热性和优良的热管理性能，能够在高负载条件下保持可靠运行。该器件的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，使其易于与各种控制电路配合使用，如微控制器或专用驱动 IC。TO-247 封装形式提供了良好的散热性能和机械强度，便于安装和散热器连接。PQ1CZ41H2ZPK 还具备较高的雪崩能量耐受能力，有助于在突发电压尖峰情况下保持器件安全运行。
PQ1CZ41H2ZPK 常用于多种高功率电子系统中。在电源管理系统中，该器件适用于同步整流、负载开关以及高效率 DC-DC 转换器的设计。其高电流能力和低导通电阻使其成为电机驱动器和电动车辆（如电动车和电动工具）控制系统中的理想选择。此外，在工业自动化设备中，PQ1CZ41H2ZPK 可用于高频开关应用，如逆变器和伺服电机控制电路。它也适合用于电池管理系统（BMS），用于能量存储和释放的高效控制。在消费类电子产品中，PQ1CZ41H2ZPK 可用于高性能电源适配器、充电器和 LED 照明系统的功率调节模块。该器件的高可靠性和耐久性也使其在汽车电子应用中具有广泛的用途，如车载充电系统、车身控制模块和电动助力转向系统。
IRF1404, STP40NF40, Si4410DY
