类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：110A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：12.5mΩ @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）：70nC
　　功率耗散（PD）：250W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220F

SMF6533HT 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 12.5mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。此外，该器件能够承受高达 110A 的连续漏极电流和 60V 的漏源电压，使其适用于中高功率应用。TO-220F 封装不仅提供了良好的散热能力，还具备较强的机械稳定性和可靠性，适用于工业级环境。该 MOSFET 还具有快速开关特性，栅极电荷（Qg）仅为 70nC，有助于降低开关损耗并提高系统响应速度。
　　此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 至 20V 的栅源电压，确保了在不同控制电路中的兼容性。其高雪崩能量耐受能力也增强了在瞬态电压冲击下的稳定性，适用于电动工具、汽车电子和工业自动化等高要求场景。在热设计方面，该器件具有出色的热稳定性，能够在 175°C 的结温下稳定运行，适用于高温环境下的应用。

SMF6533HT 广泛应用于多种高功率、高效率的电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，它可用作主开关器件，实现高效的能量转换；在 DC-DC 转换器中，可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构中的主功率开关，适用于服务器电源、通信电源和工业控制电源等场景。此外，该器件也可用于电机驱动系统，如无刷直流电机（BLDC）驱动器或电动工具控制器，提供高电流开关能力。在汽车电子领域，SMF6533HT 可用于电池管理系统（BMS）、车载充电器（OBC）和电子助力转向系统（EPS）。其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于恶劣环境下的工业控制和自动化设备。

IRF1404、SiR178DP、NTMFS4C10N、FDMS86101、SiR144DP