SMF202B是一种基于硅材料制造的高频小信号晶体管,主要用于低噪声放大、混频和开关等应用场合。该晶体管具有高增益、低噪声特性和良好的频率响应,非常适合在高频无线通信设备中使用。其设计目标是满足高性能射频电路的需求,同时保持较高的稳定性和可靠性。
SMF202B采用SOT-23封装形式,这种封装小巧且易于贴装,非常适合用于空间受限的设计场景。此外,它的工作电压范围较广,能够适应多种不同的电源配置。
集电极-发射极击穿电压:30V
集电极最大电流:150mA
直流电流增益(hFE):80~400
特征频率(fT):900MHz
最大耗散功率:310mW
工作温度范围:-55℃~+150℃
SMF202B具备以下显著特点:
1. 高增益:直流电流增益高达400,能够在弱信号环境下提供足够的放大能力。
2. 超低噪声:特别优化了噪声性能,适合用于接收机前端等对信噪比要求极高的场合。
3. 高频响应:特征频率达到900MHz,确保其在高频段依然能保持稳定的性能。
4. 小型化设计:采用SOT-23封装,体积小、重量轻,便于集成到紧凑型电路板中。
5. 广泛的工作温度范围:支持从-55℃到+150℃的温度区间,适应各种恶劣环境下的应用需求。
SMF202B广泛应用于以下领域:
1. 高频无线通信设备中的低噪声放大器(LNA)。
2. 混频器和振荡器电路中的有源元件。
3. 射频开关及调制解调电路。
4. GSM、CDMA、WCDMA等移动通信系统的相关产品。
5. 各类便携式电子设备,如手持无线电设备、卫星导航系统等。
SMF202A, SMF203B, BFU610