时间：2025/8/7 13:30:39
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NVTFWS004N04CTAG 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于功率管理和电源转换应用。该器件采用先进的 Trench MOSFET 技术，提供优异的导通电阻和开关性能，适用于高效率电源系统。该型号封装为 DPAK（TO-252）形式，适合表面贴装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：40V
最大漏极电流（ID）：80A（Tc）
导通电阻（RDS(on)）：4.0mΩ @ VGS=10V
栅极阈值电压（VGS(th)）：1.1V~2.5V @ ID=250μA
最大功耗（PD）：94W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
NVTFWS004N04CTAG 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），仅为 4.0mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。其 N 沟道结构和先进的 Trench 工艺确保了在高电流负载下依然具备优异的导电性能。
此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性和高温工作能力，能够在 -55°C 至 175°C 的温度范围内稳定运行，适合严苛环境下的应用。最大漏极电流高达 80A（在特定条件下的 Tc 值），使其能够胜任高功率负载任务。
栅极阈值电压范围为 1.1V 到 2.5V，表明其能够在较低的驱动电压下工作，适用于现代低电压控制电路。此外，其 10V 栅极驱动电压下的最佳导通性能进一步优化了开关行为，降低了开关损耗。
在封装方面，采用 TO-252（DPAK）封装形式，该封装具备良好的热管理和机械稳定性，适合表面贴装工艺，提高了生产效率和可靠性。
NVTFWS004N04CTAG 主要应用于电源管理领域，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及电机驱动器等。由于其低导通电阻和高电流承载能力，特别适用于需要高效率、高可靠性的电源转换系统。
在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统、车载信息娱乐系统等场景。同时，它也适用于工业自动化设备、通信电源模块以及服务器电源系统等高功率需求的应用场景。
另外，该 MOSFET 还可用于负载开关设计，例如在笔记本电脑、平板电脑和智能手机中控制不同功能模块的电源通断，以提升能效并延长电池续航。
NVTFWS004N04CTAG 的替代型号可考虑 SiS888DN-T1-GE3、IRL8883PbF 和 SQJA40EP。这些型号在性能参数和封装形式上较为接近，但在实际应用中应根据具体电路设计和系统要求进行选型验证。
