类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：170A（在Tc=25°C）
　　功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　导通电阻(Rds(on))：约1.7mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　阈值电压(Vgs(th))：2.0V ~ 4.0V

SMC170CA MOSFET具备一系列高性能特性，适用于高功率密度设计。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。在Vgs=10V时，Rds(on)仅为1.7mΩ，使其在大电流应用中表现出色。
　　其次，该器件支持高达170A的连续漏极电流，适用于高功率输出场景。同时，其最大漏源电压为30V，能够适应中等电压的功率转换需求。
　　此外，SMC170CA 采用PowerFLAT 5x6封装，具备良好的热管理和小型化设计，适合高密度PCB布局。封装无铅环保，符合RoHS标准，适用于工业级和汽车级应用。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，具有较高的栅极稳定性。其阈值电压范围为2.0V至4.0V，确保在常见的栅极驱动电路下稳定工作。
　　最后，该器件具有高耐用性和可靠性，适用于严苛的工作环境，能够在-55°C至175°C的温度范围内稳定运行。

SMC170CA 广泛应用于多个高功率电子系统中，尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。
　　在电源管理领域，该MOSFET常用于同步整流、DC-DC降压和升压转换器中，以提高转换效率并减少发热。由于其低导通电阻和高电流能力，特别适合用于服务器电源、工业电源和电池管理系统。
　　在电机控制方面，SMC170CA 可用于H桥驱动电路中，实现对直流电机或步进电机的高效控制，适用于自动化设备和机器人系统。
　　此外，该器件也常用于负载开关电路，如热插拔电源管理、电源分配系统等，能够实现快速开关操作并减少功率损耗。
　　在汽车电子领域，该MOSFET适用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电池保护电路等，其宽工作温度范围和高可靠性满足汽车应用的严苛要求。

IRF170, SiR170DP, FDS170N