时间：2025/5/14 19:00:02
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ISC030N12NM6 是一款高性能的 N 沟能量 MOSFET，由 IXYS 公司生产。该器件适用于高电压应用场合，具有低导通电阻和高开关速度的特点。其封装形式为 TO-247，广泛应用于电源转换、电机驱动、逆变器以及不间断电源 (UPS) 等领域。
ISC030N12NM6 的核心设计在于提供高效能与可靠的电力传输能力，同时具备良好的热稳定性和抗干扰性能，使其成为工业及消费电子市场中备受欢迎的选择。
型号：ISC030N12NM6
类型：N 沟能量 MOSFET
VDS（漏源电压）：1200V
RDS(on)（导通电阻）：300mΩ
ID（连续漏极电流）：12A
Ptot（总功耗）：225W
f(max)（最高工作频率）：10kHz
封装：TO-247
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
ISC030N12NM6 主要特点包括：
1. 高耐压能力，最大漏源电压可达 1200V，适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻 (RDS(on)) 仅为 300mΩ，显著降低了传导损耗。
3. 高电流承载能力，连续漏极电流高达 12A，确保在大功率负载下的稳定性。
4. 快速开关速度，支持高达 10kHz 的工作频率。
5. 良好的热性能，能够在极端温度条件下可靠运行，适合工业级应用。
6. 强大的抗干扰能力，减少了系统噪声对器件的影响。
这些特性使得 ISC030N12NM6 成为需要高效率和高可靠性的应用的理想选择。
ISC030N12NM6 广泛用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器，用作主开关或同步整流管。
2. 工业电机驱动，提供高效的功率控制。
3. 不间断电源 (UPS)，保障关键设备的持续供电。
4. 太阳能逆变器，实现光伏系统的电能转换。
5. 电动车辆中的牵引逆变器和电池管理系统。
6. 各种高压、大电流电路中的功率开关组件。
由于其卓越的性能和可靠性，ISC030N12NM6 在上述应用中表现尤为出色。
ISC032N12NM6, IRFP260N, STW83N12
