类型：瞬态电压抑制二极管（TVS）
　　极性：单向
　　工作电压：8.0V
　　最大反向工作电压（Vrwm）：8.0V
　　击穿电压（Vbr）：最小 8.89V，典型 9.36V，最大 10.4V（在测试电流下）
　　钳位电压（Vc）：最大 15.4V（在峰值脉冲电流下）
　　峰值脉冲电流（Ipp）：24.7A（8x20μs波形）
　　功率耗散：600W（峰值脉冲功率）
　　封装类型：SMB（DO-214AA）
　　温度范围：-55°C 至 +150°C

SMBJ8.0A M4G 提供高效的电路保护，特别是在需要应对高能量瞬态事件的应用中。其快速响应时间确保在电压瞬变发生时能够迅速导通，将多余的电流引离受保护电路，从而防止设备损坏。该器件采用紧凑的 SMB 表面贴装封装，适用于高密度 PCB 设计。由于其单向结构，SMBJ8.0A M4G 适用于直流和单向电压保护应用。
　　此外，该 TVS 器件具有低漏电流，在正常工作条件下对电路性能影响极小。其高可靠性使其适用于工业、通信、消费类电子和汽车电子等多种环境。SMBJ8.0A M4G 的设计符合 RoHS 环保标准，适合现代绿色电子制造要求。
　　该器件的钳位性能优异，在高压瞬变事件中能够将电压限制在安全水平，保护后级 IC 和敏感电子元件免受损害。其 600W 的峰值脉冲功率容量使其能够应对较为严苛的电磁干扰（EMI）和雷击浪涌环境。

SMBJ8.0A M4G 主要用于保护低压电子电路免受瞬态电压的影响。它广泛应用于数据线、通信接口（如 USB、RS-485）、电源输入端口、传感器接口、消费电子产品、工业控制系统以及汽车电子模块的电路保护。特别适用于需要应对静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）和小型雷击浪涌的场合。该器件还可用于保护微控制器、FPGA、ASIC 和其他高灵敏度半导体器件。

SMBJ8.0A、SMBJ8.0CA、P6KE8.0A、1.5SMC8.0A