时间：2025/12/1 15:06:34
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VLF10045T-100M4R3 是由TDK公司生产的一款多层片状铁氧体磁珠，属于VLF系列，广泛应用于高频信号线路和电源线路中的噪声抑制。该器件是一种表面贴装型（SMD）的EMI静噪元件，能够在不影响正常信号传输的前提下，有效吸收高频噪声并将其转化为热能释放，从而提升电子设备的电磁兼容性（EMC）。
该型号中的命名规则具有明确含义：VLF代表产品系列，10045表示其尺寸符合EIA标准1004（即1.0mm x 0.45mm），T表示编带包装形式，100M代表标称阻抗为100Ω（在100MHz下测量），而4R3则表示直流电阻（DCR）最大值为4.3mΩ。这种微型化设计使其非常适合用于空间受限的高密度印刷电路板（PCB）布局中，如智能手机、可穿戴设备和平板电脑等便携式电子产品。
VLF10045T-100M4R3 主要针对高速数字电路中产生的射频干扰（RFI）进行滤波处理，特别是在Wi-Fi、蓝牙、GPS以及移动通信模块的信号路径上发挥重要作用。它通过提供高阻抗来衰减不需要的高频噪声，同时保持对低频信号或直流供电的低插入损耗，确保系统性能不受影响。此外，该磁珠具备良好的温度稳定性和可靠性，在高温环境下仍能维持稳定的电气特性，适用于工业级和消费类电子产品的严苛工作条件。
尺寸（L×W×H）：1.0mm × 0.45mm × 0.5mm
标称阻抗（100MHz）：100Ω ±25%
额定电流：500mA
直流电阻（DCR）：最大4.3mΩ
工作温度范围：-55℃ ~ +125℃
存储温度范围：-55℃ ~ +125℃
耐压：50Vrms
电感值（典型）：约10nH @ 1MHz
自谐振频率（SRF）：约1.2GHz
VLF10045T-100M4R3 具备优异的高频噪声抑制能力，其核心特性之一是在100MHz测试频率下实现高达100Ω的阻抗值，能够有效衰减GHz级别的电磁干扰信号。这一性能得益于TDK专有的低温共烧陶瓷（LTCC）工艺与高性能铁氧体材料的结合，使得该磁珠在宽频范围内展现出理想的电阻性阻抗特性，而非单纯的电感行为。这意味着在高频段，磁珠主要表现为电阻性质，将噪声能量以热量的形式耗散，从而避免传统电感可能引起的谐振问题，显著提高系统的稳定性与抗干扰能力。
另一个关键优势是其极低的直流电阻（仅4.3mΩ最大），这保证了在通过较大工作电流时不会引起明显的电压降或功耗增加，特别适合用于电源去耦或大电流信号线的滤波应用。例如，在为射频放大器或基带处理器供电的路径中使用此磁珠，可以在不牺牲效率的情况下消除高频纹波。同时，500mA的额定电流能力也满足大多数低功耗集成电路的供电需求。
该器件采用1004小型化封装，体积小巧，便于集成到高密度PCB设计中，且符合RoHS环保标准和无卤素要求，支持回流焊工艺，具备良好的焊接可靠性和机械强度。此外，其宽广的工作温度范围（-55℃至+125℃）使其能在极端环境条件下稳定运行，适用于车载电子、工业控制及户外通信设备等多种应用场景。最后，该系列磁珠经过严格的质量控制和长期可靠性验证，确保在复杂电磁环境中持续提供稳定的噪声抑制效果。
VLF10045T-100M4R3 被广泛应用于各类需要高效EMI抑制的电子设备中，尤其是在便携式消费电子产品中表现突出。常见应用包括智能手机和平板电脑中的RF天线线路、Wi-Fi/蓝牙模块的电源滤波、摄像头模组与主控之间的高速信号线去噪，以及音频线路的干扰抑制。在这些场景中，微小的空间限制和复杂的电磁环境要求元器件必须兼具高性能与微型化特点，而该磁珠正好满足这些需求。
在无线通信领域，该器件常用于隔离不同功能模块之间的噪声耦合，例如防止蜂窝网络发射信号干扰GPS接收灵敏度，或抑制开关电源产生的高频噪声进入敏感的模拟前端电路。此外，在可穿戴设备如智能手表和TWS耳机中，由于电池容量有限且电路高度集成，电源轨上的噪声极易影响传感器精度或音频质量，因此使用此类低DCR、高阻抗磁珠进行局部去耦显得尤为重要。
工业与汽车电子也是其重要应用方向。尽管该型号主要用于消费类市场，但其良好的温度适应性和可靠性使其可在非动力控制单元中使用，比如车载信息娱乐系统、ADAS传感器接口或CAN/LIN总线的信号调理电路中，帮助提升系统的电磁兼容性并通过相关认证测试。总之，凡是存在高频噪声传播风险的场合，VLF10045T-100M4R3 都是一个可靠且高效的解决方案。
MMZ1004D101BT000
BLM18AG101SN1
