时间：2025/12/26 8:29:29
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SMBJ14A-13-F是一款由Diodes Incorporated生产的瞬态电压抑制二极管（TVS），主要用于电路中的过压保护。该器件采用SMB（DO-214AA）封装，具有较小的体积和较高的功率处理能力，适用于需要紧凑设计且对可靠性要求较高的应用场景。SMBJ14A-13-F能够在短时间内吸收大量的浪涌能量，从而有效防止因静电放电（ESD）、雷击感应或开关噪声等引起的电压尖峰对下游电子元件造成损害。其单向击穿特性意味着它仅在正向过压情况下导通，适合用于直流电源线路或其他单极性信号线的保护。该TVS二极管的工作温度范围通常为-55°C至+150°C，满足工业级和汽车级应用的环境要求。此外，产品符合RoHS指令，无铅且绿色环保，适合现代电子制造工艺，包括自动贴片焊接。
类型：单向TVS二极管
封装：SMB（DO-214AA）
反向截止电压（VRWM）：14V
击穿电压（VBR）：最小15.6V，最大17.2V
钳位电压（VC）：22.1V @ Ipp = 8.15A
峰值脉冲功率（PPPM）：600W
测试电流（IT）：1mA
最大漏电流（IR）：5μA
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
引脚数：2
极性：单向
SMBJ14A-13-F具备优异的瞬态电压抑制性能，能够在瞬时高压事件中迅速响应并箝制电压至安全水平，保护后续电路不受损坏。其核心特性之一是高能量吸收能力，在8/20μs电流波形下可承受高达30A的峰值脉冲电流，对应的峰值脉冲功率达到600W，这使得它非常适合用于抵御如EFT（电快速瞬变脉冲群）和雷击感应等高强度瞬态干扰。该器件的响应时间极短，通常小于1皮秒，远快于传统的过压保护元件，确保在纳秒级的电压突变到来之前即进入导通状态。
该TVS二极管采用可靠的硅雪崩技术制造，具有稳定的击穿特性和良好的重复性，即使在多次浪涌冲击后仍能保持性能不变。其低动态电阻特性有助于降低钳位电压，减少通过被保护器件的能量，提高系统整体安全性。SMBJ14A-13-F的漏电流非常小（典型值低于1μA，最大5μA），在正常工作条件下几乎不消耗额外功耗，不会影响原电路的运行稳定性。同时，由于其反向截止电压为14V，适用于12V直流系统的过压防护，常见于电源适配器、电池管理系统、工业控制模块等领域。
封装方面，SMB（DO-214AA）是一种标准表面贴装形式，具有良好的散热性能和机械强度，支持回流焊和波峰焊等多种自动化生产工艺。器件本体标有阴极环标识，便于极性识别与装配。其符合IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5等国际电磁兼容标准，可用于需要通过EMC认证的产品设计中。此外，该型号经过严格的质量控制流程生产，具备高可靠性和长寿命，适用于严苛环境下的长期运行。
SMBJ14A-13-F广泛应用于各类需要瞬态过压保护的电子设备中，特别是在电源输入端口、数据通信接口和传感器信号线路中发挥关键作用。常见应用包括消费类电子产品如机顶盒、路由器和智能家电的直流电源输入保护；工业控制系统中的PLC模块、继电器驱动电路和现场总线接口防浪涌设计；汽车电子领域内的车载娱乐系统、ECU供电线路以及电池管理单元中的瞬态抑制；同时还可用于通信设备、安防监控系统和医疗仪器等对稳定性和安全性要求较高的场合。
在12V供电系统中，例如使用12V适配器或蓄电池供电的设备，SMBJ14A-13-F能够有效应对启动瞬间的电压波动、负载切换引起的反冲电压以及外部静电放电带来的风险。其单向结构特别适合连接到正极供电轨上，当出现反接或负向电压时不会误触发，提升了系统的容错能力。此外，该器件也可用于保护微控制器、ADC转换器、通信收发器等敏感IC免受来自连接线缆引入的瞬态干扰。得益于其紧凑的SMB封装，可在PCB空间有限的设计中实现高效的电路防护布局，尤其适合高密度组装的现代电子产品。
SMAJ14A
