SMAU1G 时间：2025/12/28 16:00:25 阅读：10

SMAU1G 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的通用型N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用SMA（DO-214AC）封装，具有较高的可靠性和稳定性，适用于多种电源管理和开关应用。SMAU1G主要用于需要高效能、低功耗和快速开关特性的电路中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：3.2A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω @ Vgs = 10V
　　功率耗散（Ptot）：1.6W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SMA（DO-214AC）

特性

SMAU1G MOSFET具有优异的导通和开关性能，能够在较高频率下工作，降低开关损耗。
　　其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流应用中保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。
　　该器件具有良好的热稳定性和过载能力，适用于各种电源转换和负载开关应用。
　　此外，SMAU1G的封装设计使其具备良好的散热性能，适合表面贴装（SMT）工艺，适用于自动化生产流程。
　　其栅极驱动电压范围宽（通常在10V左右即可完全导通），便于与标准MOSFET驱动器兼容。

应用

SMAU1G广泛应用于各类电子设备中，如DC-DC转换器、电源管理模块、负载开关、电机驱动电路以及电池供电设备。
　　它也常用于LED照明驱动、电源适配器、工业自动化控制电路以及汽车电子系统中的开关控制。
　　由于其良好的高频特性，SMAU1G也可用于逆变器和开关电源中的高频开关部分。
　　在消费类电子产品中，例如充电器、小型电源模块和智能家电中也有广泛应用。