容量：8K x8位
　　工作电压：3.3V
　　访问时间：55ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　数据保持时间：10年（典型值）
　　读取电流：最大150mA
　　待机电流：最大10mA
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　

STK14C88-3W55 NVSRAM芯片具备多项卓越特性，使其在高性能非易失性存储应用中表现优异。
　　首先，该芯片提供高速的读写性能，访问时间为55纳秒，适合实时数据处理和需要快速响应的应用场景。其读取电流在最大工作状态下为150mA，待机电流则低于10mA，具有良好的能效表现，适合需要低功耗运行的系统。
　　其次，STK14C88-3W55采用3.3V单电源供电，简化了电源设计并提高了系统集成度。其TTL兼容的输入/输出电平确保与多种数字系统兼容，增强了设计灵活性。
　　此外，该芯片内置非易失性存储机制，可在断电情况下通过外部电池或超级电容维持数据完整性，典型数据保持时间为10年。这种特性使其特别适合用于需要在断电后仍然保留关键数据的应用，例如工业控制系统的参数存储、网络设备的配置信息保存等。
　　最后，STK14C88-3W55采用TSOP封装形式，具有较高的集成度和良好的散热性能，适用于空间受限的设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适应工业级环境要求，确保在恶劣条件下稳定运行。

STK14C88-3W55 NVSRAM芯片适用于多种高可靠性、高性能的非易失性存储应用场景。
　　在工业自动化领域，该芯片可用于存储关键的系统参数、运行日志和配置数据，确保在断电或系统重启后数据不会丢失，从而提高系统可靠性和快速恢复能力。
　　在通信设备中，STK14C88-3W55可用于高速缓存存储器，保存路由表、连接状态信息或实时数据缓冲，适用于路由器、交换机以及无线基站等设备。
　　在医疗设备方面，该芯片适合用于存储病人数据、设备校准信息和运行记录，确保关键数据在电源中断时不会丢失，满足医疗设备对数据完整性的高要求。
　　此外，在嵌入式系统和数据采集系统中，STK14C88-3W55可作为临时数据存储单元，用于高速数据缓冲和实时处理，提升整体系统性能。
　　由于其具备宽温工作范围和高可靠性，STK14C88-3W55也适用于航空航天、军工装备等对环境适应性和稳定性要求极高的场合。

STK14C88-3W70, STK14C88-3W60, CY14B108L-3A55XIT, FM18W08-30AS