类型：P沟道
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：4.1A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.28Ω（最大值，在Vgs=4.5V时）
　　功率耗散：1.5W
　　工作温度范围：-55°C至150°C

SMAU1G-RTK MOSFET采用了STMicroelectronics专有的SuperMESH?技术，这是一种优化的沟槽栅结构设计，显著降低了导通电阻并提高了器件的雪崩能量吸收能力。这种技术使得MOSFET能够在较高的电流密度下工作，同时保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性和短路耐受能力，确保在极端工作条件下的可靠运行。
　　其低导通电阻特性意味着在导通状态下，MOSFET上的电压降非常小，这有助于减少功耗并提升能效。对于需要频繁开关操作的应用场景，如DC-DC转换器或负载开关，SMAU1G-RTK能够提供快速的开关速度，进一步降低开关损耗。
　　由于其SOT-223的小型化封装设计，SMAU1G-RTK不仅节省了PCB空间，还简化了散热管理的需求。该封装具备良好的热性能，能够有效地将热量从芯片传导到电路板上，避免局部过热导致的性能下降或故障。此外，SMAU1G-RTK符合RoHS环保标准，不含任何有害物质，适用于对环境友好型产品的要求。
　　在可靠性方面，SMAU1G-RTK经过严格的质量控制和测试，确保其在整个生命周期内都能保持稳定的电气特性和机械强度。无论是在高温还是低温环境下，该器件都能够维持正常的运作，适应各种严苛的工作条件。

SMAU1G-RTK适用于多种电源管理应用，包括但不限于便携式电子产品中的电池供电系统、电机驱动器、负载开关、DC-DC转换器以及各类工业自动化控制电路。它也是LED照明解决方案中理想的功率开关选择，能够有效支持高亮度LED的高效能驱动需求。

SMPU1G-RTK, SMDU1G-RTK