AON6264E 时间：2025/8/2 7:18:47 阅读：35

AON6264E是一款由Alpha and Omega Semiconductor（AOS）制造的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Super Junction技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适用于高效率电源转换系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。AON6264E采用TDFN 5x6封装，尺寸紧凑，适合高密度电源设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：160A
　　连续漏极电流（Id）@100°C：97A
　　导通电阻（Rds(on)）@4.5V：3.5mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）@2.5V：4.5mΩ
　　功率耗散（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装：TDFN 5x6

特性

AON6264E具备多项显著的技术特性，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs为4.5V时仅3.5mΩ，这大幅降低了导通损耗，提升了系统效率。其次，该器件采用了先进的Super Junction结构，使得其在保持高击穿电压的同时，具有更小的芯片尺寸，从而提升了功率密度。此外，AON6264E的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高高频应用中的性能。
　　该器件还具有良好的热稳定性，TDFN封装提供了优异的散热性能，能够在高电流条件下保持较低的温升。此外，AON6264E的封装设计具有较低的引线电感，有助于减少高频开关过程中的电压振荡，提升系统可靠性。其工作温度范围宽达-55°C至150°C，适用于各种严苛的工业和汽车应用环境。
　　在可靠性方面，AON6264E通过了AEC-Q101汽车级认证，确保其在车载电子系统中的稳定运行。同时，其内部结构优化设计，具有较高的抗雪崩能力，能够在突发过压或负载突变情况下提供更强的保护机制。

应用

AON6264E广泛应用于多种高效率电源管理系统中。其典型应用场景包括高性能DC-DC转换器、服务器电源、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统中的功率控制模块。由于其优异的导通特性和高频响应能力，该器件特别适合用于高频开关电源和同步整流电路，以提升整体转换效率。
　　在服务器和通信电源系统中，AON6264E可用于高电流输出的同步整流器，有效降低导通损耗并提高能效。在电池管理系统中，该器件可作为高侧或低侧开关，实现对电池充放电过程的精确控制。此外，由于其符合AEC-Q101标准，AON6264E在新能源汽车、车载充电器（OBC）以及48V轻混系统中也有广泛应用。
　　在工业控制领域，该器件可用于电机驱动、UPS不间断电源、光伏逆变器等设备中的功率开关部分，提供高效、稳定的功率转换性能。同时，其紧凑的TDFN封装也适合对空间要求较高的便携式设备和模块化电源设计。