SMAL7 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)推出的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率、高功率密度的电源转换应用。该器件采用先进的沟槽栅技术,提供较低的导通电阻和优异的开关性能。SMAL7 通常用于 DC-DC 转换器、同步整流、电机控制、电源管理和负载开关等应用。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 (Vds):30V
最大漏极电流 (Id):60A
导通电阻 (Rds(on)):5.2mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷 (Qg):48nC
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装类型:PowerFLAT 5x6
技术:沟槽栅 MOSFET
SMAL7 具有非常低的导通电阻,能够在高电流应用中显著降低功率损耗,提高系统效率。其 5.2mΩ 的 Rds(on) 特性使得在大电流条件下仍能保持较低的温升,从而提高系统的稳定性和可靠性。
该器件的栅极电荷较低(48nC),有助于减少开关损耗,提高开关频率,适用于高频 DC-DC 转换器设计。此外,SMAL7 采用 PowerFLAT 5x6 封装,具有良好的热性能和空间利用率,适合紧凑型设计。
SMAL7 还具备高耐压能力,漏源电压额定值为 30V,适用于 12V、24V 等常见电源系统。其工作温度范围为 -55°C 至 175°C,适应各种严苛环境下的运行需求。
该 MOSFET 采用沟槽栅技术,提供更优的电流控制能力和更高的集成度。同时,器件的封装设计有助于提高散热效率,延长使用寿命。
SMAL7 广泛应用于多种电源管理与功率转换系统,包括但不限于同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电源管理系统、电池管理系统以及汽车电子设备等。
在同步整流器中,SMAL7 可以替代传统二极管实现更高的转换效率,尤其适用于高频开关电源设计。在 DC-DC 转换器中,由于其低 Rds(on) 和快速开关特性,有助于实现高效率和高功率密度的电源模块。
在电机控制和驱动应用中,SMAL7 可以承受较大的负载电流,并具有良好的动态响应能力,适用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机的驱动电路。
此外,该器件还可用于电池管理系统中的充放电控制电路,以实现高效能的能量管理。在汽车电子中,SMAL7 可用于车载电源转换系统、LED 照明驱动、车载充电器等场景。
STL7N3LLH5, STP60NF03L, IPD60N3LH5, IRF3710, FDP6030L