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SMAB210-RTK/H 发布时间 时间:2025/9/11 17:47:15 查看 阅读:21

SMAB210-RTK/H 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 型高频晶体管,适用于各种高频放大和开关应用。该器件采用 SOT-23(Small Outline Transistor)封装,适合高频率和低噪声应用场景。SMAB210-RTK/H 具备优良的高频特性,广泛用于射频(RF)放大、混频、振荡器等电路中。

参数

类型:NPN 双极型晶体管
  最大集电极-发射极电压(Vce):30V
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大功率耗散(Ptot):300mW
  最大工作频率(fT):250MHz
  电流增益(hFE):110-800(根据电流和电压条件)
  封装类型:SOT-23
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

SMAB210-RTK/H 晶体管具备良好的高频性能,其最大工作频率(fT)可达 250MHz,使其非常适合用于射频和中频放大电路。该晶体管的电流增益(hFE)范围广泛,从 110 到 800,具体数值取决于工作电流和电压条件,这使得它在多种放大器配置中都具有良好的适应性。此外,该器件的封装为 SOT-23,体积小、重量轻,适用于高密度 PCB 布局和便携式电子设备。
  其最大集电极-发射极电压为 30V,最大集电极电流为 100mA,能够在较低的功耗下提供稳定的性能。同时,其最大功率耗散为 300mW,能够在较高的温度环境下运行,具有良好的热稳定性和可靠性。该晶体管的工作温度范围从 -55°C 到 +150°C,适应于各种工业和消费类电子应用。
  在应用中,SMAB210-RTK/H 可用于低噪声放大器(LNA)、射频混频器、本地振荡器、开关电路等。其高频特性和良好的线性度使其在无线通信系统、音频放大器以及各类传感器接口电路中表现优异。

应用

SMAB210-RTK/H 主要应用于射频(RF)放大器、混频器、振荡器和开关电路。由于其高频特性和低噪声性能,该晶体管常用于无线通信设备、蓝牙模块、Wi-Fi 模块、射频识别(RFID)系统、传感器接口电路、音频放大器以及各类便携式电子产品。此外,它还适用于需要低功耗和高性能的消费类电子设备,如无线耳机、智能手表、遥控器和遥控玩具等。

替代型号

BC847, 2N3904, BFQ54, BFQ19

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