SMAB15-RTK 时间：2025/12/28 14:42:31 阅读：8

SMAB15-RTK 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装。该器件设计用于需要高效、高功率密度的电源管理和功率转换应用。其主要特点是低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力以及良好的热性能。该封装形式有助于提高器件在高电流条件下的可靠性，并便于散热设计。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (ID)：15A
　　最大漏源电压 (VDS)：60V
　　最大栅源电压 (VGS)：±20V
　　导通电阻 (RDS(on))：最大 20mΩ @ VGS = 10V
　　导通电阻温度系数：正温度系数
　　栅极电荷 (Qg)：23nC @ 10V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

特性

SMAB15-RTK 的核心优势在于其低导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的 RDS(on) 典型值仅为 15mΩ，在高电流工作条件下能够显著降低功率损耗，提高能效。此外，其 PowerFLAT 5x6 封装设计提供了优良的散热性能，适合高功率密度的设计需求。
　　这款 MOSFET 还具备良好的热稳定性和电流承载能力，能够在高温环境下稳定运行。其栅极驱动电压范围为 4.5V 至 20V，兼容多种驱动电路设计，便于在同步整流、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等应用中使用。
　　此外，SMAB15-RTK 的封装无铅且符合 RoHS 标准，适用于环保型电子产品设计。其小型封装也使其适用于空间受限的设计，如便携式设备、服务器电源和汽车电子系统。

应用

SMAB15-RTK 广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适用于高效率电源转换设备。例如，在同步整流拓扑中，该器件可用于提高转换效率并减少热量产生。此外，它也常用于 DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及各种电源管理模块。
　　由于其高可靠性和良好的热性能，SMAB15-RTK 也适用于工业自动化设备、通信电源、服务器电源模块以及新能源系统（如光伏逆变器和储能系统）中的功率控制环节。