SMAB13-RTK 时间：2025/9/12 11:29:08 阅读：17

SMAB13-RTK是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用DFN5x6封装形式。该器件适用于需要高效能和低导通电阻的应用场景，例如电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等。SMAB13-RTK具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力和紧凑的封装设计，适合在空间受限的设计中使用。

参数

类型：MOSFET（N沟道增强型）
　　漏源电压（VDS）：20V
　　漏极电流（ID）：8A
　　导通电阻（RDS(on)）：13mΩ（最大值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.1V至2.5V
　　封装类型：DFN5x6
　　工作温度范围：-55°C至150°C

特性

SMAB13-RTK具有多项技术特性，使其适用于多种高效能电子设计。其低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通状态下的功率损耗，从而提高系统效率并减少发热。该MOSFET的高漏极电流（ID）能力支持在高负载应用中稳定运行。此外，DFN5x6封装形式提供了优良的热管理和空间利用率，适合用于便携式设备和高密度电路板设计。
　　该器件还具备良好的栅极驱动特性，可在较低的栅极电压下实现完全导通，从而降低控制电路的复杂性和功耗。其工作温度范围宽，适用于各种严苛环境下的应用。SMAB13-RTK的可靠性较高，能够满足工业级和汽车电子产品的严格要求。

应用

SMAB13-RTK适用于多个领域，包括电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、LED驱动以及电池管理系统。在电源管理中，该MOSFET可用于高效能电源模块设计；在DC-DC转换器中，其低导通电阻特性有助于提升转换效率；在负载开关应用中，SMAB13-RTK的高电流能力可以支持大功率负载的切换；此外，该器件还可用于电机驱动和LED照明控制，提供稳定可靠的性能。