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SMA5J130A 发布时间 时间:2025/6/29 1:07:48 查看 阅读:10

SMA5J130A是一款基于砷化镓(GaAs)工艺制造的射频功率晶体管,专为高频应用设计。该晶体管适用于无线通信系统、雷达设备和测试测量仪器等领域的功率放大器模块。其出色的线性度和增益特性使其成为高效率射频功率放大的理想选择。
  SMA5J130A采用了匹配网络设计,以优化其在特定频率范围内的性能表现,并支持表面贴装技术(SMT),从而提高了电路板布局的灵活性和可靠性。此外,该器件具备较高的输出功率能力和良好的散热性能。

参数

类型:射频功率晶体管
  工艺:GaAs
  封装形式:SMD
  工作频率范围:9GHz 至 13GHz
  饱和输出功率:28dBm
  增益:7.5dB
  电源电压:6V
  静态电流:250mA
  最大输入功率:20dBm
  驻波比(VSWR):2.0:1
  插入损耗:≤1.5dB

特性

SMA5J130A具有宽泛的工作频率范围(9GHz至13GHz),适合于X波段的应用场景。它拥有优秀的增益性能,在典型条件下可提供约7.5dB的增益值。同时,其饱和输出功率达到28dBm,能够满足多种高功率需求的射频应用。
  此外,该器件内置了匹配网络,这不仅简化了外部电路设计,还显著提升了稳定性和可靠性。其低插入损耗和较小的封装体积也有助于节省PCB空间,便于实现紧凑型设计。
  由于采用了GaAs工艺,SMA5J130A表现出较低的噪声系数以及优异的温度稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能表现。

应用

SMA5J130A主要应用于以下领域:
  1. 无线通信系统中的功率放大器模块;
  2. 雷达设备的前端射频电路;
  3. 测试测量仪器的信号源部分;
  4. 卫星通信系统的上行链路功率放大;
  5. 医疗成像设备和其他高性能射频电子系统。
  凭借其卓越的性能,这款晶体管特别适合需要高功率密度和高效率的射频应用环境。

替代型号

SMA5J132A
  SMA5J129A

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