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SM8S36AHE3/2D 发布时间 时间:2025/5/20 16:24:10 查看 阅读:2

SM8S36AHE3/2D是一款高性能、低功耗的8位微控制器,基于RISC架构设计。该芯片适用于需要高效处理能力和较低能耗的应用场景,如消费电子、家用电器和工业控制领域。其内置丰富的外设资源,支持多种通信接口和灵活的定时器配置,从而满足多样化的应用需求。
  该型号中的“SM8S”表示属于三星(Samsung)的8位单片机系列,“36AHE3/2D”则进一步明确了具体的产品版本和封装形式。此款芯片集成了高精度ADC、PWM控制器以及多种中断源,便于实现复杂的嵌入式系统功能。

参数

工作电压:1.8V~5.5V
  工作温度范围:-40℃~+85℃
  CPU主频:最高20MHz
  Flash存储器容量:32KB
  SFR RAM容量:2KB
  I/O端口数量:24个
  ADC通道数:8通道
  PWM输出通道数:6通道
  定时器数量:3个
  通信接口:UARTx2、SPI、I2C

特性

SM8S36AHE3/2D采用了先进的CMOS工艺制造,具备以下主要特性:
  1. 高性能核心:运行频率高达20MHz,能够快速执行复杂算法。
  2. 多功能性:集成ADC、PWM、定时器和多种通信模块,适合多任务应用场景。
  3. 节能模式:提供空闲和掉电两种低功耗模式,有效延长电池寿命。
  4. 强大的外设支持:支持多达8路模拟输入的高精度ADC,分辨率可达10位。
  5. 可靠性高:经过严格测试,在恶劣环境下仍保持稳定工作。
  6. 封装灵活:采用TSSOP24小型封装,方便布局和散热管理。

应用

这款微控制器广泛应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品:如遥控器、电子玩具等。
  2. 家用电器:冰箱、空调、洗衣机等设备的控制系统。
  3. 工业自动化:传感器数据采集、电机驱动控制。
  4. 医疗设备:便携式健康监测仪器。
  5. 物联网终端节点:环境监控、智能家居网关。
  由于其低功耗特性和丰富外设,非常适合对成本敏感且要求可靠性的产品设计。

替代型号

SM8S36AHE3/2C, SM8S36AHE3/2B

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SM8S36AHE3/2D参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器
  • 极性Unidirectional
  • 钳位电压58.1 V
  • 工作电压36 V
  • 封装 / 箱体DO-218AB
  • 击穿电压40 V
  • 峰值浪涌电流114 A
  • 峰值脉冲功率耗散6600 W
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 最小工作温度- 55 C
  • 封装Reel
  • 尺寸8.7(Max) mm W x 13.7(Max) mm L
  • 工厂包装数量750