时间：2025/7/1 19:56:11
阅读：7
PSMN015-100P 是一款 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），属于 PSMN 系列。该器件采用小型 PQFN 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于电源管理、电机驱动和负载切换等应用。其出色的性能使其成为高效能设计的理想选择。
类型：N沟道 MOSFET
封装：PQFN 3.3x3.3
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：4.7A
导通电阻(Rds(on))：90mΩ（在 Vgs=10V 时）
总功耗(Ptot)：1.3W
工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +150°C
PSMN015-100P 提供了多种卓越的特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，这有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 高速开关能力，适用于高频开关应用。
3. 小型 PQFN 封装，节省 PCB 空间并支持紧凑设计。
4. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品要求。
5. 强大的散热性能，能够在较高温度范围内稳定运行。
6. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
PSMN015-100P 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，如 DC-DC 转换器和反激式转换器。
2. 电机驱动电路，特别是小功率直流电机控制。
3. 电池保护和负载开关，确保过流保护和快速响应。
4. 固态继电器和其他需要低导通电阻的场景。
5. 便携式设备中的电源管理模块，例如笔记本电脑适配器和移动电源。
6. 工业自动化设备中的信号切换和隔离。
PSMN022-100PS, PSMN018-100P
