时间：2025/8/9 10:46:51
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FMW47N60S1FDHF是一款功率MOSFET，由安森美半导体（onsemi）生产，适用于高功率和高效率的电源转换应用。该器件采用先进的沟槽栅极和场截止技术，提供了低导通电阻和快速开关特性，以满足现代电源管理的需求。其封装形式为TO-220，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：47A
最大漏极电压（VDSS）：600V
导通电阻（RDS(ON)）：典型值为0.155Ω（最大值0.185Ω）
最大耗散功率：140W
工作温度范围：-55°C至175°C
栅极电荷（Qg）：典型值为88nC
输入电容（Ciss）：典型值为1550pF
封装：TO-220
FMW47N60S1FDHF采用了先进的沟槽栅极和场截止技术，使其在高电压应用中具有优异的性能。其低导通电阻可以有效降低导通损耗，提高系统效率。同时，该MOSFET具有较低的栅极电荷，从而减少了开关损耗，适用于高频开关应用。此外，其TO-220封装设计具有良好的热性能，有助于在高功率条件下保持稳定运行。
该器件还具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在极端条件下的可靠性。其设计符合RoHS标准，适用于环保和绿色电子设备。FMW47N60S1FDHF的快速开关特性使其在电源转换器、DC-DC变换器、电机控制以及照明系统中表现出色。
FMW47N60S1FDHF广泛应用于各类电力电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、UPS系统、工业自动化设备和LED照明驱动电路。由于其高效的能量转换能力和良好的热管理性能，该MOSFET特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源系统。
FQA47N60C、FGL47N60AF、FGA47N60SFD
