时间：2025/7/22 22:25:49
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SM8S36AHE3/2是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的瞬态电压抑制器（TVS），用于保护电子设备免受静电放电（ESD）、电感负载切换和其它瞬态电压现象的损害。这种器件通常用于高要求的工业和消费电子应用中，提供快速响应和高可靠性。SM8S36AHE3/2封装在SMB Flat封装中，适合表面贴装应用。
类型：瞬态电压抑制器（TVS）
封装类型：SMB Flat
工作温度范围：-55°C至150°C
反向工作电压（VR）：36V
最大钳位电压（VC）：58.1V（在Ipp=5.45A时）
峰值脉冲电流（Ipp）：5.45A
最大反向漏电流（IR）：10μA（在VR=36V时）
响应时间：1ps（典型值）
功率耗散：1500W（在10/1000μs波形下）
SM8S36AHE3/2具有快速响应时间和高浪涌吸收能力，能够有效保护敏感的电子元件免受瞬态电压的影响。该器件采用先进的硅雪崩技术，确保在高能量冲击下的稳定性和可靠性。此外，其低电容特性使其适用于高速数据线保护，不会影响信号完整性。SMB Flat封装不仅提供了良好的热管理和机械强度，还适合自动贴片工艺，提高生产效率。该TVS的高可靠性和广泛的工作温度范围使其适用于各种苛刻环境下的应用，如工业控制系统、电源管理电路和消费电子产品。
SM8S36AHE3/2广泛应用于需要瞬态电压保护的场合，包括工业控制系统、电源适配器、消费电子产品、通信设备和汽车电子系统。它特别适合用于保护敏感的电子线路，如USB接口、以太网端口和其它高速数据传输线路。
SM8S36AHE3/2的替代型号包括Littelfuse的SP3021-04UTG和ON Semiconductor的ESD9B36.0ST5G。这些型号在功能和性能上与SM8S36AHE3/2相似，但可能在封装或电气特性上略有不同，使用时需参考具体的数据手册进行匹配。
