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FCPF220N80 发布时间 时间:2025/5/23 17:10:14 查看 阅读:3

FCPF220N80 是一款 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高效率以及出色的热性能。其主要用途包括开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器和负载开关等领域。
  FCPF220N80 的封装形式为 TO-220,具备较高的电流处理能力和耐压能力,同时支持表面贴装技术(SMD)以适应现代化电路板设计需求。

参数

最大漏源电压:80V
  连续漏极电流:22A
  导通电阻:5.5mΩ
  栅极电荷:45nC
  总电容(输入电容):1350pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-220

特性

FCPF220N80 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,能够有效降低功耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,适合高频操作环境。
  3. 高电流承载能力,可满足大功率应用需求。
  4. 出色的热稳定性,确保在极端条件下依然可靠运行。
  5. 支持表面贴装技术,简化了生产流程并增强了产品耐用性。
  6. 较宽的工作温度范围,适用于各种恶劣环境下的工业和汽车级应用。

应用

FCPF220N80 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. DC-DC 转换器,用于电压调节和负载管理。
  3. 电机驱动电路,作为功率级开关。
  4. 负载开关和保护电路,提供快速开启/关闭功能。
  5. 太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。
  6. 各类工业设备及消费电子产品的高效功率控制部分。

替代型号

IRFZ44N
  STP220N10F5
  FDPF220N80

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FCPF220N80参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥50.96000管件
  • 系列SuperFET? II
  • 包装管件
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)800 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)23A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)220 毫欧 @ 11.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 2.3mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)105 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4560 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)44W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220F-3
  • 封装/外壳TO-220-3 整包