时间：2025/4/28 10:40:13
阅读：3
BSC021N08NS5是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用小型SOT-23封装形式。该器件具有低导通电阻（Rds(on)），适用于多种高效能开关应用。它广泛用于消费电子、工业控制和通信设备中，能够提供出色的性能和可靠性。
最大漏源电压：80V
最大栅极源极电压：±20V
连续漏极电流：2.1A
导通电阻：0.95Ω（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：410mW
工作结温范围：-55℃至175℃
BSC021N08NS5具有以下显著特点：
1. 低导通电阻设计有助于减少传导损耗，从而提升系统效率。
2. 高雪崩击穿能量增强了器件的耐用性和鲁棒性。
3. 小型SOT-23封装适合空间受限的应用场景。
4. 极低的输入电容和输出电容使其在高频开关电路中表现出色。
5. 工作温度范围广，能够在恶劣环境下稳定运行。
这款MOSFET主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. 直流-直流转换器中的开关元件。
3. 电池保护电路及负载开关。
4. 各种便携式设备中的电源管理。
5. 消费类电子产品中的电机驱动和信号切换。
BSC026N08NS5
BSC022N06NS5
Si2302DS
