时间：2025/8/23 15:39:33
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SM50X6E 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于高功率开关应用。这款晶体管具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流能力，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及工业自动化等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：50A
最大漏-源电压（VDS）：60V
导通电阻（Rds(on)）：最大值约0.018Ω（在VGS=10V时）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
最大工作温度：175°C
封装类型：TO-262 或 TO-220
SM50X6E 具备优异的导通和开关性能，其低导通电阻能够有效降低功率损耗，提高系统效率。采用先进的沟槽式MOSFET技术，确保了在高电流负载下的稳定工作。该器件具有较高的热稳定性，能够在高温度环境下保持良好的工作状态。此外，SM50X6E 还具备较强的短路和过载承受能力，适合在要求较高的工业和汽车应用中使用。
该MOSFET的封装形式通常为TO-220或TO-262，具备良好的散热性能，便于安装在散热器上。同时，其栅极驱动电压范围较宽，适用于多种驱动电路设计。在设计中，该器件可作为主开关或同步整流器使用，以实现高效能的功率转换。
SM50X6E 常用于各类功率电子设备中，如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电机驱动器、UPS不间断电源、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。此外，它还广泛应用于汽车电子系统，例如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统（EPS）等，满足高可靠性与高性能要求。
IRFZ44N, STP55NF06, FDP5030BL
