SSD50P06-15D 是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于STripN系列。该系列MOSFET以其高性能、低导通电阻和优良的热特性而闻名,适用于各种电源管理和功率转换应用。SSD50P06-15D的具体型号特性表明它是一款P沟道MOSFET,具有较高的电流承载能力和较低的导通损耗。
类型:P沟道
漏源电压(Vds):60V
连续漏极电流(Id):50A
导通电阻(Rds(on)):15mΩ
栅极电压(Vgs):±20V
工作温度范围:-55°C至175°C
封装形式:TO-220
功率耗散(Pd):125W
SSD50P06-15D具备低导通电阻(Rds(on))特性,使其在高电流应用中能够显著降低功率损耗,提高系统效率。该器件采用先进的沟槽栅极技术,优化了导通和开关性能。
其高电流承载能力使其适用于高功率密度设计,如DC-DC转换器、负载开关和马达控制电路。
此外,该MOSFET具有良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,提高了系统的可靠性和寿命。
SSD50P06-15D的TO-220封装形式便于散热,并且易于安装在标准散热片上,有助于提高热管理性能。
该器件还具备良好的抗雪崩能力,能够在瞬态过电压情况下提供额外的保护。
SSD50P06-15D广泛应用于各种电源管理系统和功率电子设备中,包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)、马达驱动器以及工业自动化控制系统。
由于其高效率和低损耗特性,也常用于高功率便携式设备和电源适配器的设计中。
STP55P06, FDP50P06, IRF9540N