SM4F43A-TP 是一款由 Sanken(三健电子)生产的 N 沟道功率 MOSFET,广泛用于电源管理和功率转换应用中。该器件采用 TO-252 封装,具备良好的散热性能和较高的电流承载能力,适用于需要高效、稳定工作的电子设备。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):40V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):40A
导通电阻(Rds(on)):22mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd):100W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:TO-252
SM4F43A-TP 具有低导通电阻,能够在高电流条件下提供较低的导通损耗,从而提高整体系统的效率。其封装形式为 TO-252,具备良好的散热性能,适用于中高功率的应用场景。该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持在多种控制电路中使用,同时具备较强的过载和瞬态响应能力,适用于需要快速开关操作的场合。此外,该 MOSFET 的制造工艺成熟,具有较高的可靠性和稳定性,适合用于工业电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。
在热性能方面,SM4F43A-TP 设计有较大的热容量和良好的热传导路径,能够在持续高电流工作条件下保持较低的工作温度,从而延长器件的使用寿命。其封装结构也便于安装和散热片的连接,提高了整体系统的热管理能力。
SM4F43A-TP 常用于电源管理系统、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池充电器、负载开关、工业控制设备以及各类高功率电子设备中。由于其高电流能力和低导通电阻,特别适用于需要高效能和稳定性的电源设计。
IRFZ44N, AO4403, Si4410DY, FDP4410