器件类型：肖特基二极管
　　配置：单路
　　最大平均整流电流：2 A
　　最大重复峰值反向电压：60 V
　　最大直流阻断电压：60 V
　　最大正向压降：850 mV @ 2 A, 125 °C
　　最大反向漏电流：2 mA @ 60 V, 125 °C
　　工作结温范围：-55 °C 至 +125 °C
　　存储温度范围：-55 °C 至 +150 °C
　　封装/外壳：SMA (DO-214AC)
　　安装类型：表面贴装
　　热阻结至环境：75 K/W
　　峰值浪涌电流：60 A @ 8.3 ms 半正弦波

SM2G75US60的核心优势在于其优异的电学性能与紧凑封装之间的平衡。该肖特基二极管采用先进的平面工艺技术，实现了低正向压降（典型值约为850mV，在2A和高温条件下），从而显著降低了导通损耗，提升了电源系统的能效表现。这一特性对于便携式设备、移动电源及高密度DC-DC转换器尤为重要，有助于延长电池续航时间并减少散热需求。同时，由于肖特基势垒结构本身不具备少数载流子存储效应，因此该器件具备极快的开关速度，反向恢复时间几乎可以忽略不计，避免了传统PN结二极管在高频开关过程中产生的反向恢复电流尖峰，减少了电磁干扰（EMI）和开关应力，提高了系统可靠性。
　　该器件的最大重复反向电压为60V，适用于常见的12V、24V和48V低压电源系统，广泛用于同步整流拓扑中作为续流或输出整流元件。其2A的平均整流电流能力结合SMA封装提供的良好热传导性能，使其能够在有限的PCB面积下处理较高功率负载。此外，SM2G75US60具有较低的反向漏电流（在60V和125°C时最大为2mA），尽管肖特基二极管通常存在比PN二极管更高的漏电流问题，但该型号通过优化材料和结构设计，在高温环境下仍保持相对稳定的漏电特性，确保系统在恶劣工况下的长期稳定性。该器件的工作结温可达+125°C，支持严苛环境下的运行，并具备60A的峰值浪涌电流承受能力（8.3ms半正弦波），增强了对瞬态过流事件的耐受性。

SM2G75US60广泛应用于多种电力电子场景，尤其是在对效率和空间有严格要求的设计中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器中的输出整流和续流二极管、反向极性保护电路、电池管理系统（BMS）中的隔离单元、LED驱动电源以及适配器和充电器模块。由于其低正向压降和快速响应特性，它也常被用于同步整流架构中替代MOSFET体二极管以降低损耗。此外，该器件适用于工业控制设备、消费类电子产品、通信电源模块以及汽车电子辅助电源系统等环境。在这些应用中，SM2G75US60不仅帮助提升能源利用效率，还因其表面贴装封装形式支持自动化贴片生产，提高了制造效率和产品一致性。其符合RoHS和无卤素标准的特点也使其适用于绿色电子产品设计，满足现代环保法规要求。

MBR260
　　SR260
　　SS26
　　STPS2L60