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SM250A-E 发布时间 时间:2025/8/13 21:27:40 查看 阅读:25

SM250A-E是一款由STMicroelectronics(意法半导体)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关应用。这款MOSFET采用先进的制造工艺,具备高耐压、低导通电阻以及优异的热稳定性,适合在电源管理、工业控制、电机驱动和电力电子系统中使用。SM250A-E的封装形式通常为TO-247,便于散热并确保在高电流条件下的稳定运行。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  连续漏极电流(Id):15A
  栅源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):最大值为0.35Ω
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-247
  功率耗散(Ptot):典型值为125W

特性

SM250A-E是一款高性能功率MOSFET,具有出色的电气和热性能。其主要特性包括高击穿电压(600V)和较低的导通电阻,使其在高电压应用中具有较低的功率损耗。该器件采用了先进的平面条纹和高密度单元布局技术,以优化导通电阻与开关性能之间的平衡,从而提高整体能效。
  此外,SM250A-E具备良好的热稳定性,能够在高温度环境下稳定运行,延长设备的使用寿命。其封装形式为TO-247,具有良好的散热性能,适用于需要高功率处理能力的应用场景。
  该MOSFET还具备快速开关特性,减少开关损耗,提高系统效率。它在电机控制、开关电源(SMPS)、逆变器和UPS系统中都有广泛的应用。此外,其高栅极电荷(Qg)特性使其适用于中等频率开关应用,避免了高频开关带来的额外损耗问题。

应用

SM250A-E广泛应用于各种高功率电子系统中。例如,在开关电源(SMPS)中,该MOSFET可用作主开关元件,实现高效率的能量转换。在电机驱动器和变频器中,SM250A-E可用于控制电机的转速和方向,提供稳定的输出性能。此外,该器件还适用于不间断电源(UPS)系统和逆变器,用于将直流电转换为交流电,确保电力供应的连续性和稳定性。
  由于其高耐压和良好的热稳定性,SM250A-E也可用于工业自动化控制系统和高功率LED照明驱动电路。在这些应用中,该MOSFET能够提供可靠的开关性能,同时减少能量损耗,提高整体系统的效率。

替代型号

STW25NK60Z, IRFGB40N60HD, IPW60R036PFD7S

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