时间：2025/6/29 13:45:54
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IRF7105QTRPBF 是一款由 Vishay 公司生产的增强型 N 沟道逻辑电平功率 MOSFET。该器件采用小型化的 QFN 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于便携式设备、电源管理电路以及需要高效能的开关应用。
该型号专为高频开关应用设计，其极低的栅极电荷使得它在高速开关环境中表现优异，同时具备出色的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：3.6A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：9nC
输入电容：85pF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：QFN-6
IRF7105QTRPBF 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够显著降低功耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，得益于低栅极电荷和快速的开关响应时间。
3. 采用了 Vishay 先进的制造工艺，保证了器件的高可靠性和一致性。
4. 符合 RoHS 标准，并且具备出色的抗静电能力。
5. 小尺寸 QFN 封装使其非常适合空间受限的应用场景。
6. 支持宽范围的工作温度，确保在极端环境下的稳定性。
IRF7105QTRPBF 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电池供电设备中的负载开关和保护电路。
3. LED 驱动电路中的电流控制元件。
4. 工业自动化及汽车电子中的电机驱动和控制。
5. 数据通信设备中的信号切换和隔离。
6. 可穿戴设备和其他便携式电子产品中的电源管理单元 (PMU)。
IRF7106QPBF, SI4476DY
