时间：2025/5/26 18:10:54
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LFSN25N18C1842BAH-796 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于高频、高效能功率转换应用。该器件采用增强型结构，支持高电压操作，同时具备低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于电源管理、工业驱动和通信系统中。
额定电压：180V
连续漏极电流：25A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：30nC
输入电容：1200pF
反向恢复时间：无（由于其单极性结构）
封装形式：TO-247-4
LFSN25N18C1842BAH-796 的核心优势在于其利用了先进的氮化镓材料，这种材料具有宽禁带、高击穿场强和高载流子迁移率等特点。
1. 高效率：得益于超低导通电阻和极小的开关损耗，能够在高频下实现更高的能量转换效率。
2. 快速开关：GaN 技术带来了更快的开关速度，使得它可以用于高频电路设计，从而减小磁性元件体积并降低整体系统成本。
3. 热性能优异：器件内部采用了高效的散热路径设计，确保在高功率密度应用场景下的稳定运行。
4. 易于驱动：与传统的硅基 MOSFET 相比，这款 GaN HEMT 的栅极驱动要求更加简单且兼容性更强，进一步降低了设计复杂度。
此外，该产品还通过了多项可靠性测试，包括高温存储、湿度偏置和反复雪崩能力等，确保其长期使用的稳定性。
LFSN25N18C1842BAH-796 主要应用于对效率和功率密度有极高要求的场景。
1. 数据中心服务器电源：
- 提供高效功率转换，满足大功率需求。
2. 工业电机驱动：
- 实现精确控制和快速响应，提升设备性能。
3. 光伏逆变器：
- 增强最大功率点跟踪（MPPT）效率，优化太阳能发电系统的输出。
4. 电动车车载充电器：
- 减少热量产生并缩小整体尺寸，提高续航里程。
5. 无线充电系统：
- 在高频谐振条件下保持高效工作，支持更远距离的能量传输。
LFSN25N150C1842BAH-796
LFSN30N18C1842BAH-796
GAN042-180DS
