类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大漏极电流（ID）：80A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：≤2.5mΩ（典型值）
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

SM130AF具有多项优异的电气和热性能，首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具备较高的电流承载能力，适用于大功率应用场景。此外，SM130AF采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使其在开关过程中具有较低的开关损耗，有助于提升整体能效。在热管理方面，TO-252封装提供了良好的散热性能，确保器件在高负载条件下稳定工作。该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力和较高的可靠性，适合在恶劣环境下运行。最后，SM130AF的栅极设计优化了驱动特性，使其能够与常见的MOSFET驱动器兼容，简化了电路设计。
　　从电气参数来看，SM130AF的最大漏源电压为100V，适用于中高电压应用；最大漏极电流高达80A，使其能够胜任高电流负载的需求。栅源电压容限为±20V，允许使用标准的12V或15V驱动电源，同时具备一定的过压保护能力。器件的功耗为200W，表明其在高功率应用中仍能保持良好的热稳定性。工作温度范围覆盖-55°C至175°C，适用于多种工业环境条件。

SM130AF适用于多种功率电子系统，包括但不限于：DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业电源、服务器电源、电信设备电源、UPS（不间断电源）、光伏逆变器以及各类高效率开关电源。由于其优异的导通和开关性能，SM130AF特别适合用于高频率、高效率的电源拓扑结构中，如LLC谐振转换器、半桥和全桥拓扑。此外，其高电流能力和良好的热管理特性使其成为电池供电系统和大功率负载控制的理想选择。

SiHF130N10T、IRF130N、FDP130N10A、NTMFS130N10M、IPB130N10N3G