L35L12VCB2是一种基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,专为高频开关应用设计。该器件具有高开关速度、低导通电阻和高击穿电压等特性,适用于电源管理、DC-DC转换器、无线充电模块以及LED驱动器等场景。通过采用先进的封装技术,L35L12VCB2能够在高温环境下保持稳定性能。
类型:功率晶体管
材料:氮化镓(GaN)
最大漏源电压:120V
持续漏电流:35A
导通电阻:2.5mΩ
栅极电荷:75nC
开关频率:最高可达5MHz
结温范围:-55℃至+175℃
封装形式:CB2(超薄型表面贴装)
L35L12VCB2具有以下显著特性:
1. 高效开关性能:得益于氮化镓技术,该器件具备极低的导通电阻和栅极电荷,可显著降低功率损耗。
2. 小型化封装:CB2封装尺寸紧凑,适合高密度电路板布局。
3. 耐高温能力:在高达175℃的工作温度下仍能保持稳定性能。
4. 快速开关速度:支持高达5MHz的开关频率,非常适合高频应用。
5. 强大的抗浪涌能力:能够承受瞬态高压,提高系统可靠性。
6. 低电磁干扰(EMI):优化的内部结构减少了开关过程中的噪声产生。
L35L12VCB2广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于提高电源效率和减小体积。
2. DC-DC转换器:实现高效能量转换,特别适用于电动汽车和工业设备。
3. 无线充电模块:提供高效的能量传输,满足消费电子需求。
4. LED驱动器:用于大功率LED照明系统,确保恒定电流输出。
5. 电机驱动:支持快速动态响应和精确控制。
6. 充电器与适配器:提升快充性能并减少发热。
L30L100VCB2, GAN035-650WSB