时间：2025/6/12 14:49:06
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L35L12VCB2是一种基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频开关应用设计。该器件具有高开关速度、低导通电阻和高击穿电压等特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、无线充电模块以及LED驱动器等场景。通过采用先进的封装技术，L35L12VCB2能够在高温环境下保持稳定性能。
类型：功率晶体管
材料：氮化镓（GaN）
最大漏源电压：120V
持续漏电流：35A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：75nC
开关频率：最高可达5MHz
结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：CB2（超薄型表面贴装）
L35L12VCB2具有以下显著特性：
1. 高效开关性能：得益于氮化镓技术，该器件具备极低的导通电阻和栅极电荷，可显著降低功率损耗。
2. 小型化封装：CB2封装尺寸紧凑，适合高密度电路板布局。
3. 耐高温能力：在高达175℃的工作温度下仍能保持稳定性能。
4. 快速开关速度：支持高达5MHz的开关频率，非常适合高频应用。
5. 强大的抗浪涌能力：能够承受瞬态高压，提高系统可靠性。
6. 低电磁干扰（EMI）：优化的内部结构减少了开关过程中的噪声产生。
L35L12VCB2广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于提高电源效率和减小体积。
2. DC-DC转换器：实现高效能量转换，特别适用于电动汽车和工业设备。
3. 无线充电模块：提供高效的能量传输，满足消费电子需求。
4. LED驱动器：用于大功率LED照明系统，确保恒定电流输出。
5. 电机驱动：支持快速动态响应和精确控制。
6. 充电器与适配器：提升快充性能并减少发热。
L30L100VCB2, GAN035-650WSB
